[發明專利]一種制備薄膜的方法

有效

• 申請號: 201710269837.X
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108728812B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 宋斌斌;郭凱;于濤;張傳升;左寧;李新連;趙樹利
• 申請（專利權）人: 國家能源投資集團有限責任公司;北京低碳清潔能源研究院
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/18;C23C14/34
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 王崇

1.一種薄膜的光學參數與制備工藝參數對應關系的確定方法，其特征在于，包括：

在多個預定制備工藝參數下分別制備薄膜；

確定所述多個預定制備工藝參數下制備的各薄膜的光學參數，得到所述薄膜的光學參數與制備工藝參數對應關系，以便根據所述對應關系制備滿足制備需求的薄膜；確定所述多個預定制備工藝參數下制備的各薄膜的光學參數，具體包括：

確定玻璃基片的第一光學參數；

確定制備有所述薄膜的玻璃基片的第二光學參數；

根據所述第一光學參數和所述第二光學參數，確定所述薄膜的光學參數。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光學參數和所述第二光學參數是通過下述方法確定的：

確定被測介質的相對振幅衰減和相位移動之差，所述被測介質包括所述玻璃基片和/或所述制備有所述薄膜的玻璃基片；

根據所述相對振幅衰減和相位移動之差，確定被測介質的光學參數。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制備工藝參數至少包括濺射氣壓，所述光學參數至少包括折射率和消光系數。

4.一種制備薄膜的方法，其特征在于，包括：

根據待制備薄膜的制備需求、第一對應關系和第二對應關系，確定制備所述薄膜的制備工藝參數和制備時間，其中，所述制備需求包括待制備薄膜的厚度和光學參數，所述第一對應關系為所述薄膜的光學參數與制備工藝參數對應關系，所述第二對應關系為所述薄膜的制備時間與厚度的對應關系；

根據確定的制備工藝參數和制備時間，制備所述薄膜。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述制備工藝參數至少包括濺射氣壓，所述光學參數至少包括折射率和消光系數。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，當所述薄膜是鉬背電極層時，所述鉬背電極層包括疏松層、致密層和鈍化層，根據待制備薄膜的制備需求、第一對應關系和第二對應關系，確定制備所述薄膜的制備工藝參數和制備時間，具體包括：

根據待制備鉬背電極層的制備需求、第一對應關系和第二對應關系，確定所述疏松層的第一制備工藝參數和第一制備時間、所述致密層的第二制備工藝參數和第二制備時間、以及所述鈍化層的第三制備工藝參數和第三制備時間，其中，所述制備需求包括待制備鉬背電極層的厚度和光學參數，所述第一對應關系為鉬膜的光學參數與制備工藝參數的對應關系，所述第二對應關系為鉬膜的制備時間與厚度的對應關系。

7.如權利要求6所述的方法，當所述薄膜是鉬背電極層時，根據確定的制備工藝參數和制備時間，制備所述薄膜，具體包括：

根據所述第一制備工藝參數和所述第一制備時間、所述第二制備工藝參數和所述第二制備時間、以及所述第三制備工藝參數和所述第三制備時間，分別制備所述疏松層、所述致密層和所述鈍化層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，根據所述第一制備工藝參數和所述第一制備時間、所述第二制備工藝參數和所述第二制備時間、以及所述第三制備工藝參數和所述第三制備時間，分別制備所述疏松層、所述致密層和所述鈍化層，具體包括：

根據所述第一制備工藝參數和所述第一制備時間，在玻璃基片上制備第一薄膜作為所述疏松層；

根據所述第二制備工藝參數和所述第二制備時間，在所述疏松層上制備第二薄膜作為所述致密層；

根據所述第三制備工藝參數和所述第三制備時間，在所述致密層上制備第三薄膜作為所述鈍化層。

9.如權利要求4-8中任一權項所述的方法，其特征在于，所述第一對應關系，是通過權利要求1-3中任一所述的薄膜的光學參數與制備工藝參數對應關系的確定方法確定的。