[發明專利]膠帶及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201710267097.6
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107325741A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 木村雄大;高本尚英;大西謙司;宍戶雄一郎;井上真一;森田等;恒川誠
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/00;C09J11/08;C09J11/04;H01L21/56
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

技術領域

本發明涉及膠帶及半導體裝置的制造方法。

背景技術

有一種用于制造半導體裝置的膠帶，其具備基材層、位于基材層上的粘合劑層、位于粘合劑層上的粘接劑層以及與粘接劑層接觸的隔膜(以下稱為“3層膠帶”。)。

也有具備基材層、位于基材層上的粘接劑層以及與粘接劑層接觸的隔膜的膠帶(以下有時稱為“2層膠帶”。)。與3層膠帶相比，2層膠帶能廉價地制造。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-281561號公報

專利文獻2：日本特開2014-185285號公報

專利文獻3：日本特許第4284922號

發明內容

發明要解決的問題

與3層膠帶相比，2層膠帶難以抑制切割時的芯片缺口(以下稱為“破片”。)的產生。與3層膠帶相比，2層膠帶還難以抑制拾取時的芯片裂紋的產生。對于3層膠帶，通過調整粘合劑層的厚度、粘合劑層的彈性模量，能夠抑制切割時的芯片的振動，但2層膠帶沒有將基材層和粘接劑層連接的粘合劑層。

本發明的一個實施方式的目的在于，提供能夠抑制破片的產生和芯片裂紋的產生的膠帶。本發明的一個實施方式的目的在于，提供一種半導體裝置的制造方法。

用于解決問題的方案

本發明的一個實施方式涉及包含隔膜和薄膜的膠帶。薄膜包含粘接劑層和基材層。粘接劑層位于隔膜與基材層之間。在薄膜的晶圓固定部中，粘接劑層及基材層的90度剝離力可以為0.015N/20mm～0.4N/20mm。在薄膜的切割環固定部中，粘接劑層及基材層的180度剝離力可以為0.5N/20mm以上。

若晶圓固定部的90度剝離力為0.015N/20mm以上、進而切割環固定部的180度剝離力為0.5N/20mm以上，則能夠抑制切割時的半導體芯片的振動，能夠抑制破片的產生。若晶圓固定部的90度剝離力為0.4N/20mm以下，則有在拾取時不易產生半導體芯片的裂紋的傾向。

基材層的兩面可以用與粘接劑層接觸的第1主面和與第1主面相對的第2主面來定義。基材層的第1主面可以包含進行了前處理的區域。基材層的第1主面不包含進行了前處理的區域時，雖然不易產生芯片裂紋，但有時在切割環上容易產生殘膠。這是因為：基材層的極性通常低，因此有時基材層與粘接劑層的粘接力低。前處理可以為電暈放電處理、等離子體處理、底涂劑的涂布、剝離處理、壓花、紫外線處理、加熱處理等。從可以應用于輥到輥(roll to roll)的觀點出發，優選電暈放電處理、等離子體處理、底涂劑的涂布。壓花中可以使用具有凹凸的輥等。經壓花的區域的表面凹凸例如可以為0.1μm～5μm。通常粘接劑層越硬，越會對基材層的表面凹凸點接觸，因此有剝離力變低的傾向。另一方面，粘接劑層越柔軟，粘接劑層越會追隨表面凹凸，因此有剝離力變高的傾向。

本發明的一個實施方式中，可以將膠帶用于各種用途。例如，可以為了進行切割/芯片接合而使用膠帶。此時，粘接劑層可以擔任粘接芯片和被粘物的作用等。薄膜也可以用作晶圓背面保護薄膜、底部填充薄膜、封裝薄膜。

另外，本發明的一個實施方式涉及一種半導體裝置的制造方法，其包括形成切割后的芯片的工序，所述切割后的芯片包含半導體芯片及切割后的粘接劑層。形成切割后的芯片的工序包括形成層疊體的步驟。層疊體包含薄膜、固定于晶圓固定部的半導體晶圓和固定于切割環固定部的切割環。形成層疊體的步驟包括從膠帶去除隔膜的階段。

附圖說明

圖1為切割/芯片接合帶的俯視示意圖。

圖2為切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖3為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖4為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖5為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖6為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖7為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖8為變形例8中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖9為變形例9中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖10為變形例10中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖11為實施例1等中的切割/芯片接合薄膜的截面示意圖。

圖12為實施例5中的切割/芯片接合薄膜的截面示意圖。

圖13為實施例6中的切割/芯片接合薄膜的截面示意圖。