[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710265499.2
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107093633B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 李小龍;李棟;劉政;田雪雁;李良堅
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

本發明公開了一種薄膜晶體管，包括源極、漏極和有源區，所述有源區與源極相接觸的第一接觸部位的摻雜濃度和所述有源層與漏極相接觸的第二接觸部位的摻雜濃度，均高于所述有源區的主體部位的摻雜濃度。本發明還公開了一種薄膜晶體管的制作方法、陣列基板和顯示裝置。本發明公開的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠改善薄膜晶體管的接觸電阻，提高其性能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

常用的顯示面板包括液晶顯示面板(LCD)、有機發光二極管顯示面板(OLED)等。這些顯示面板在采用有源矩陣驅動方式時，需要設置具有薄膜晶體管(TFT)陣列的陣列基板，TFT作為控制像素的開關，直接關系到顯示面板的性能。

但是在實現本發明的過程中，發明人發現，現有TFT存在以下問題：

在制備TFT時，若源漏極與有源區采用分步驟制作的方式，在形成有源區后，對源漏極進行摻雜來完成源漏極的制作，將導致摻雜以后源漏極與有源區僅僅通過側邊角處進行接觸，接觸面積較小，接觸電阻極大，因此對TFT的開態電流、載流子遷移率等特性均有較大影響。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提出一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠改善薄膜晶體管的接觸電阻。

基于上述目的本發明提供的薄膜晶體管，包括源極、漏極和有源區，所述有源區與源極相接觸的第一接觸部位的摻雜濃度和所述有源層與漏極相接觸的第二接觸部位的摻雜濃度，均高于所述有源區的主體部位的摻雜濃度。

可選的，所述第一接觸部位和/或第二接觸部位的高度高于所述有源區的主體部位的高度。

可選的，所述第一接觸部位和/或第二接觸部位的摻雜濃度為10¹³～10¹⁵cm^-3。

本發明的第二方面，提供了一種如前任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上依次形成緩沖層和第一非晶硅層；

在所述第一非晶硅層上形成第二非晶硅層，所述第二非晶硅層的摻雜濃度高于所述第一非晶硅層的摻雜濃度；

通過圖案化處理，形成所述有源區，并在所述第一接觸部位和所述第二接觸部位處保留所述第二非晶硅層；

對保留的所述第二非晶硅層中的摻雜離子進行活化與擴散；

將非晶硅轉化為多晶硅；

形成薄膜晶體管的其他層并完成薄膜晶體管的制作。

可選的，所述對保留的所述第二非晶硅層中的摻雜離子進行活化與擴散的步驟以及將非晶硅轉化多晶硅的步驟，采用準分子激光退火工藝一步完成。

本發明的第三個方面，提供了一種如上任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上依次形成緩沖層和第一非晶硅層；

將非晶硅轉化為多晶硅，形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成第二非晶硅層，所述第二非晶硅層的摻雜濃度高于所述多晶硅層的摻雜濃度；

通過圖案化處理，形成所述有源區，并在所述第一接觸部位和所述第二接觸部位處保留所述第二非晶硅層；

對保留的所述第二非晶硅層中的摻雜離子進行活化與擴散；

形成薄膜晶體管的其他層并完成薄膜晶體管的制作。

本發明的第四個方面，提供了一種如上任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，包括：