[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710265499.2
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107093633B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 李小龍;李棟;劉政;田雪雁;李良堅
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管，包括源極、漏極和有源區(qū)，所述有源區(qū)與源極相接觸的第一接觸部位的摻雜濃度和所述有源層與漏極相接觸的第二接觸部位的摻雜濃度，均高于所述有源區(qū)的主體部位的摻雜濃度；

所述制作方法包括：

在基板上依次形成緩沖層和第一非晶硅層；

在所述第一非晶硅層上形成第二非晶硅層，所述第二非晶硅層的摻雜濃度高于所述第一非晶硅層的摻雜濃度；

通過圖案化處理，形成所述有源區(qū)，并在所述第一接觸部位和所述第二接觸部位處保留所述第二非晶硅層；其中，采用半色調(diào)掩模工藝完成所述有源區(qū)的圖案化；

對保留的所述第二非晶硅層中的摻雜離子進行活化與擴散，使摻雜離子進入到其下方的有源區(qū)的第一接觸部位和第二接觸部位中；

將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅；

形成薄膜晶體管的其他層并完成薄膜晶體管的制作；

其中，所述對保留的所述第二非晶硅層中的摻雜離子進行活化與擴散的步驟以及將非晶硅轉(zhuǎn)化多晶硅的步驟，采用準分子激光退火工藝一步完成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸部位和/或第二接觸部位的高度高于所述有源區(qū)的主體部位的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸部位和/或第二接觸部位的摻雜濃度為10¹³～10¹⁵cm^-3。

4.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管，包括源極、漏極和有源區(qū)，所述有源區(qū)與源極相接觸的第一接觸部位的摻雜濃度和所述有源層與漏極相接觸的第二接觸部位的摻雜濃度，均高于所述有源區(qū)的主體部位的摻雜濃度；

所述制作方法包括：

在基板上依次形成緩沖層和第一非晶硅層；

將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成第二非晶硅層，所述第二非晶硅層的摻雜濃度高于所述多晶硅層的摻雜濃度；

通過圖案化處理，形成所述有源區(qū)，并在所述第一接觸部位和所述第二接觸部位處保留所述第二非晶硅層；其中，采用半色調(diào)掩模工藝完成所述有源區(qū)的圖案化；

對保留的所述第二非晶硅層中的摻雜離子進行活化與擴散，使摻雜離子進入到其下方的有源區(qū)的第一接觸部位和第二接觸部位中；

形成薄膜晶體管的其他層并完成薄膜晶體管的制作。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸部位和/或第二接觸部位的高度高于所述有源區(qū)的主體部位的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸部位和/或第二接觸部位的摻雜濃度為10¹³～10¹⁵cm^-3。

7.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管，包括源極、漏極和有源區(qū)，所述有源區(qū)與源極相接觸的第一接觸部位的摻雜濃度和所述有源層與漏極相接觸的第二接觸部位的摻雜濃度，均高于所述有源區(qū)的主體部位的摻雜濃度；

所述制作方法包括：

在基板上依次形成緩沖層和非晶硅層；

在所述非晶硅層上形成第一光刻膠層；

通過曝光顯影處理，在所述第一接觸部位和所述第二接觸部位處不保留所述第一光刻膠層；

采用摻雜濃度高于所述非晶硅層的摻雜濃度的摻雜離子，對所述有源區(qū)對應的所述非晶硅層進行摻雜；

剝離所述第一光刻膠層；

通過圖案化處理，形成所述有源區(qū)；

將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅；

形成薄膜晶體管的其他層并完成薄膜晶體管的制作；

其中，所述通過曝光顯影處理，在所述第一接觸部位和所述第二接觸部位處不保留所述第一光刻膠層，還包括：

在所述有源區(qū)的主體部位處形成第二光刻膠層，所述第二光刻膠層的厚度小于所述第一光刻膠層的厚度，所述第二光刻膠層的厚度范圍為0.1-0.3μm；

剝離所述第一光刻膠層時還包括：

剝離所述第二光刻膠層。