[發(fā)明專利]一種擴散裝置和沉積腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710263540.2
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107012447B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 張文波;郭如旺;儲明明;張銳;鄭文灝
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅瑞芝;陳源

本發(fā)明提供一種擴散裝置和沉積腔室。該擴散裝置用于對通過其中的氣體進行擴散，包括：至少兩個擴散板，至少兩個擴散板之間相互間隔并相對應疊覆，每個擴散板上均開設有多個通孔，擴散板之間的間距和擴散板上通孔的分布密度均能夠對應與分布在擴散裝置入氣側的氣體的分布密度相適配，以使通過擴散裝置的氣體均勻輸出。該擴散裝置通過設置至少兩個擴散板，能使擴散板之間的間距和擴散板上通孔的分布密度對應與擴散裝置入氣側的氣體分布密度相適配，從而使通過擴散裝置的氣體的分布密度更加均勻，進而使沉積在基片上的膜層的厚度更加均勻，提高了膜層沉積在基片上所形成的產品的穩(wěn)定性和良率。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種擴散裝置和沉積腔室。

背景技術

等離子體增強化學氣相沉積(PECVD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。等離子體增強化學氣相沉積設備主要由裝載腔室、傳送腔室和工藝沉積腔室組成，裝載腔室主要用來與大氣真空機器人交換用于沉積薄膜的玻璃基片，傳送腔室主要用來在真空條件下把玻璃基片傳送到工藝腔室中，工藝沉積腔室主要用來在玻璃基片上沉積工藝薄膜。

目前經常采用的工藝沉積腔室如圖1所示，工藝氣體在氣體輸入管道6中經過射頻功率源7的射頻功率電離后離解成等離子體，工藝氣體等離子體通過氣體輸入管道6通入沉積腔室8中的氣體擴散板1上部，通過氣體擴散板1中的過濾孔后擴散至沉積腔室8底部的基臺4承載的玻璃基片上方，并在玻璃基片上沉積形成膜層。等離子化學氣相沉積出的薄膜，膜層的均一性和膜質受到多個因素影響，影響膜層均一性的主要因素為玻璃基片上方工藝氣體等離子體的分布狀況，沉積膜層的厚度與玻璃基片上方工藝氣體等離子體的分布密度成正相關。

現(xiàn)有技術中，采用單層氣體擴散板1來調整沉積腔室8內工藝氣體等離子體的分布密度，且單層氣體擴散板1上開設有均勻分布的通孔，經過單層氣體擴散板1調整后沉積在玻璃基片上的膜層邊緣膜厚與中間膜厚依然呈現(xiàn)出明顯的差異，導致整體沉積膜層厚度均一性不高。另外，單層氣體擴散板1為一體結構，其重量較重，對其進行位置調節(jié)比較困難，且在單層氣體擴散板1損壞之后只能對其進行整體更換和維修，導致其實際累計使用周期較短，維護費用較高。

因此，采用什么樣的氣體擴散板能使沉積在玻璃基片上的膜層的厚度更加均勻已成為目前亟待解決的技術問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中存在的上述技術問題，提供一種擴散裝置和沉積腔室。該擴散裝置通過設置至少兩個擴散板，能使擴散板之間的間距和擴散板上通孔的分布密度對應與擴散裝置入氣側的氣體分布密度相適配，從而使通過擴散裝置的氣體的分布密度更加均勻，進而使沉積在基片上的膜層的厚度更加均勻，提高了膜層沉積在基片上所形成的產品的穩(wěn)定性和良率。

本發(fā)明提供一種擴散裝置，用于對通過其中的氣體進行擴散，包括：至少兩個擴散板，至少兩個所述擴散板之間相互間隔并相對應疊覆，每個所述擴散板上均開設有多個通孔，所述擴散板之間的間距和所述擴散板上所述通孔的分布密度均能夠對應與分布在所述擴散裝置入氣側的氣體的分布密度相適配，以使通過所述擴散裝置的氣體均勻輸出。

優(yōu)選地，各個所述擴散板相互平行，任意相鄰兩個所述擴散板中的所述通孔的位置相對應。

優(yōu)選地，各個所述擴散板相互平行，任意相鄰兩個所述擴散板中的所述通孔的位置相互錯開。

優(yōu)選地，每個所述擴散板均包括多個子擴散板，多個所述子擴散板能夠拼接形成整個所述擴散板，每個所述子擴散板均能拆卸。

優(yōu)選地，每個所述擴散板的多個所述子擴散板位于同一平面上，且多個所述子擴散板之間無縫拼接。