[發明專利]陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201710263476.8
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107093607B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 于曉平
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/41;H01L29/45;H01L21/28;H01L21/84;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本發明公開了一種陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板，所述陣列基板包括：玻璃基板；柵極電極層，形成在所述玻璃基板上；絕緣層，覆蓋在所述玻璃基板和所述柵極電極層上；半導體層，覆蓋在所述絕緣層上；n型摻雜石墨烯層，形成在所述半導體層上；源極和漏極電極層，形成在所述n型摻雜石墨烯層上。通過上述方式，本發明能夠很好的導通半導體層與金屬電極層，顯著提高半導體器件的性能。

技術領域

本發明涉及平面顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板。

背景技術

液晶顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點而在光學、半導體、電機、化工、材料等各行業得到廣泛應用。

金屬與半導體接觸時，若半導體一側的摻雜濃度很高，則勢壘區寬度將會變薄，載流子可以通過隧穿效應穿越勢壘，產生相當大的隧穿電流，形成歐姆接觸。液晶顯示基板中半導體與金屬電極間的歐姆接觸電阻的大小能夠影響半導體器件的性能。

目前常見的充當歐姆接觸層的材料為n型摻雜硅，但是本申請的發明人在長期的研發過程中發現，n型摻雜硅的歐姆接觸層具有漏電流大、開關比低等缺點，并不能夠很好地導通半導體和金屬電極。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板，能夠很好的導通半導體層與金屬電極層，顯著提高半導體器件的性能。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：玻璃基板；柵極電極層，形成在所述玻璃基板上；絕緣層，覆蓋在所述玻璃基板和所述柵極電極層上；半導體層，覆蓋在所述絕緣層上；n型摻雜石墨烯層，形成在所述半導體層上，所述n型摻雜石墨烯層具有納米級圖案，其包括第一n型摻雜石墨烯層和第二n型摻雜石墨烯層，所述第一n型摻雜石墨烯層和所述第二n型摻雜石墨烯層間隔設置，且位于所述柵極電極層垂直上方的兩端，所述第一n型摻雜石墨烯層和所述第二n型摻雜石墨烯層分別與所述柵極電極層部分重疊；源極和漏極電極層，形成在所述n型摻雜石墨烯層上；其中，所述n型摻雜石墨烯層用于導通所述半導體層與所述源極電極層、還用于導通所述半導體層與所述漏極電極層；所述n型摻雜石墨烯層為氮摻雜石墨烯層，所述氮摻雜石墨烯由氧化石墨烯分散液以及尿素形成，所述氧化石墨烯分散液的濃度為0.1～5mg/mL，所述氧化石墨烯分散液中的氧化石墨烯與所述尿素中的純凈尿素的質量比為1：5～1：50。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種顯示基板的制作方法，所述方法包括：在一襯底基板上依次形成第一電極層、絕緣層、半導體層；在所述半導體層上形成具有納米級圖案的n型摻雜石墨烯層；在所述n型摻雜石墨烯層上形成源極和漏極電極層；通過所述n型摻雜石墨烯層導通所述半導體層與所述源極電極層，以及通過所述n型摻雜石墨烯層導通所述半導體層與所述漏極電極層；其中，所述n型摻雜石墨烯層為氮摻雜石墨烯層，所述氮摻雜石墨烯層中的氮摻雜石墨烯是通過向氧化石墨烯分散液中加入尿素，形成混合液，加熱所述混合液至第一溫度并保溫，進而得到氮摻雜石墨烯粗品，對所述氮摻雜石墨烯粗品進行純化處理后得到；所述氧化石墨烯分散液的濃度為0.1～5mg/mL，所述氧化石墨烯分散液中的氧化石墨烯與所述尿素中的純凈尿素的質量比為1：5～1：50。

為解決上述技術問題，本發明采用的又一個技術方案是：提供一種顯示基板，所述顯示基板是根據上述方法中的任一種制成的。

為解決上述技術問題，本發明采用的又一個技術方案是：提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的顯示基板。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明陣列基板中n型摻雜石墨烯層設置在半導體層以及源極和漏極電極層之間，由于其良好的導電性以及極高的電子遷移率，所形成的歐姆接觸電阻小，且具有漏電流小、開關比高的優點，能夠很好的導通半導體層與金屬電極層，顯著提高半導體器件的性能。

附圖說明