[發明專利]陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201710263476.8
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107093607B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 于曉平
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/41;H01L29/45;H01L21/28;H01L21/84;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

玻璃基板；

柵極電極層，形成在所述玻璃基板上；

絕緣層，覆蓋在所述玻璃基板和所述柵極電極層上；

半導體層，覆蓋在所述絕緣層上；

n型摻雜石墨烯層，形成在所述半導體層上，所述n型摻雜石墨烯層具有納米級圖案，其包括第一n型摻雜石墨烯層和第二n型摻雜石墨烯層，所述第一n型摻雜石墨烯層和所述第二n型摻雜石墨烯層間隔設置，且位于所述柵極電極層垂直上方的兩端，所述第一n型摻雜石墨烯層和所述第二n型摻雜石墨烯層分別與所述柵極電極層部分重疊；

源極和漏極電極層，形成在所述n型摻雜石墨烯層上；

其中，所述n型摻雜石墨烯層用于導通所述半導體層與所述源極電極層、還用于導通所述半導體層與所述漏極電極層；

所述n型摻雜石墨烯層為氮摻雜石墨烯層，所述氮摻雜石墨烯由氧化石墨烯分散液以及尿素形成，所述氧化石墨烯分散液的濃度為0.1～5mg/mL，所述氧化石墨烯分散液中的氧化石墨烯與所述尿素中的純凈尿素的質量比為1：5～1：50。

2.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在一襯底基板上依次形成第一電極層、絕緣層、半導體層；

在所述半導體層上形成具有納米級圖案的n型摻雜石墨烯層；

在所述n型摻雜石墨烯層上形成源極和漏極電極層；通過所述n型摻雜石墨烯層導通所述半導體層與所述源極電極層，以及通過所述n型摻雜石墨烯層導通所述半導體層與所述漏極電極層；

其中，所述n型摻雜石墨烯層為氮摻雜石墨烯層，所述氮摻雜石墨烯層中的氮摻雜石墨烯是通過向氧化石墨烯分散液中加入尿素，形成混合液，加熱所述混合液至第一溫度并保溫，進而得到氮摻雜石墨烯粗品，對所述氮摻雜石墨烯粗品進行純化處理后得到；所述氧化石墨烯分散液的濃度為0.1～5mg/mL，所述氧化石墨烯分散液中的氧化石墨烯與所述尿素中的純凈尿素的質量比為1：5～1：50。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述半導體層上形成具有納米級圖案的n型摻雜石墨烯層，包括：

在所述半導體層上依次形成n型摻雜石墨烯層、輔助層；

對所述輔助層進行納米級圖案化處理，以使所述輔助層形成納米級圖案；

對所述n型摻雜石墨烯層進行處理，以形成具有納米級圖案的n型摻雜石墨烯層；

去除所述輔助層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述輔助層進行納米級圖案化處理，以使所述輔助層形成納米級圖案，包括：

采用納米壓印技術對所述輔助層進行納米級圖案化處理，以使所述輔助層形成納米級圖案。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述n型摻雜石墨烯層進行處理，以形成具有納米級圖案的n型摻雜石墨烯層，包括：

采用等離子表面處理技術，對所述n型摻雜石墨烯層進行處理，以形成具有納米級圖案的n型摻雜石墨烯層。

6.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板是根據權利要求2-5任一項所述的方法制成的。

7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求6所述的顯示基板。