[發明專利]導電圖案結構及其制備方法、陣列基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201710263475.3
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735761A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 謝蒂旎;張曉晉;李偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王曉燕

本發明涉及一種導電圖案結構及其制備方法、陣列基板和顯示裝置。本公開提供了一種導電圖案結構，該導電圖案結構包括：第一金屬圖案和第二金屬圖案，其中，所述第二金屬圖案覆蓋所述第一金屬圖案的側表面；形成所述第一金屬圖案的金屬的活性比形成所述第二金屬圖案的金屬的活性弱。本公開通過在第一金屬圖案上形成包覆于其側表面上的第二金屬圖案以防止第一金屬圖案的側表面被氧化，從而避免了第一金屬圖案導電性降低的問題，進而避免了產品良率下降的問題，除此之外，還降低了對設備和外界環境的要求，從而降低了導電圖案結構制作工藝的復雜性，降低了生產成本。

技術領域

本公開的實施例涉及一種導電圖案結構及其制備方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

目前，制作薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的柵線、柵極、源極、漏極和數據線的材料一般選擇化學性質比較穩定但電阻率較高的Ta、Cr、Mo等金屬或者上述金屬形成的合金。在TFT-LCD器件的尺寸較小、分辨率比較低的情形下，柵極信號的延遲比較小，對器件的顯示效果的影響不明顯。然而，隨著TFT-LCD的尺寸和分辨率不斷地提高，柵線長度也隨著增大，信號延遲時間也隨之增大，信號延遲增加到一定的程度，一些像素得不到充分的充電，可能造成亮度不均勻，使TFT-LCD的對比度下降，嚴重地影響了圖像的顯示質量。為此，可以采用低電阻金屬例如Cu制作柵線、柵極、源極、漏極和數據線來解決這一問題。

當采用低電阻金屬制作金屬線或者金屬電極時，又會出現低電阻金屬被氧化以及低電阻金屬離子擴散到半導體層中，使得薄膜晶體管的性能惡化的問題，從而嚴重影響了TFT產品性能。這樣的問題在低電阻金屬制作的金屬線或者金屬電極處于高溫條件下時尤其明顯。

發明內容

本公開至少一實施例提供一種導電圖案結構，該導電圖案結構包括：第一金屬圖案和第二金屬圖案，其中，所述第二金屬圖案覆蓋所述第一金屬圖案的側表面；形成所述第一金屬圖案的金屬的活性比形成所述第二金屬圖案的金屬的活性弱。

例如，在本公開至少一實施例提供的導電圖案結構中，形成所述第一金屬圖案的金屬包括銅基金屬和銀基金屬中的至少之一。

例如，在本公開至少一實施例提供的導電圖案結構中，形成所述第二金屬圖案的金屬包括鎳、鉬、鈮、鋁和鈦中的至少之一。

例如，在本公開至少一實施例提供的導電圖案結構中，所述銅基金屬包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述銀基金屬包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。

例如，在本公開至少一實施例提供的導電圖案結構中，在所述銅基金屬中，銅的質量百分含量為90wt％～100wt％；在所述銀基金屬中，銀的質量百分含量為90wt％～100wt％。

例如，本公開至少一實施例提供的導電圖案結構還包括緩沖層，其中，所述第一金屬圖案設置在所述緩沖層上。

例如，在本公開至少一實施例提供的導電圖案結構中，形成所述緩沖層的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。

例如，本公開至少一實施例提供的導電圖案結構還包括覆蓋所述第一金屬圖案的上表面的第三金屬圖案。

例如，在本公開至少一實施例提供的導電圖案結構中，形成所述第三金屬圖案的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi和TiNb中的至少之一。

本公開至少一實施例還提供一種陣列基板，包括上述任一導電圖案結構。

本公開至少一實施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一陣列基板。