[發明專利]導電圖案結構及其制備方法、陣列基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201710263475.3
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735761A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 謝蒂旎;張曉晉;李偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王曉燕

1.一種導電圖案結構，包括：第一金屬圖案和第二金屬圖案，

其中，所述第二金屬圖案覆蓋所述第一金屬圖案的側表面；

形成所述第一金屬圖案的金屬的活性比形成所述第二金屬圖案的金屬的活性弱。

2.根據權利要求1所述的導電圖案結構，其中，形成所述第一金屬圖案的金屬包括銅基金屬和銀基金屬中的至少之一。

3.根據權利要求2所述的導電圖案結構，其中，形成所述第二金屬圖案的金屬包括鎳、鉬、鈮、鋁和鈦中的至少之一。

4.根據權利要求2所述的導電圖案結構，其中，所述銅基金屬包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述銀基金屬包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。

5.根據權利要求4所述的導電圖案結構，其中，在所述銅基金屬中，銅的質量百分含量為90wt％～100wt％；在所述銀基金屬中，銀的質量百分含量為90wt％～100wt％。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的導電圖案結構，還包括緩沖層，其中，所述第一金屬圖案設置在所述緩沖層上。

7.根據權利要求6所述的導電圖案結構，其中，形成所述緩沖層的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的導電圖案結構，還包括覆蓋所述第一金屬圖案的上表面的第三金屬圖案。

9.根據權利要求8所述的導電圖案結構，其中，形成所述第三金屬圖案的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi和TiNb中的至少之一。

10.一種陣列基板，包括權利要求1-9中任一項所述的導電圖案結構。

11.一種顯示裝置，包括權利要求10所述的陣列基板。

12.一種導電圖案結構的制備方法，包括：

形成第一金屬圖案；

在所述第一金屬圖案的側表面形成第二金屬圖案；其中，

形成所述第一金屬圖案的金屬的活性比形成所述第二金屬圖案的金屬的活性弱。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其中，在所述第一金屬圖案的側表面形成第二金屬圖案包括：將形成有所述第一金屬圖案的襯底基板置于包含第二金屬離子的溶液中，以形成包覆所述第一金屬圖案的側表面的第二金屬圖案。

14.根據權利要求12所述的制備方法，其中，形成所述第一金屬圖案的金屬包括銅基金屬和銀基金屬中的至少之一。

15.根據權利要求14所述的制備方法，其中，形成所述第二金屬圖案的金屬包括鎳、鉬、鈮、鋁和鈦中的至少之一。

16.根據權利要求13所述的制備方法，其中，所述包含第二金屬離子的溶液包括鎳、鉬、鈮、鋁或者鈦的氯化物、硝酸鹽或者硫酸鹽溶液。

17.根據權利要求12-16中任一項所述的制備方法，其中，形成所述第一金屬圖案之前，還包括：形成緩沖層。

18.根據權利要求17所述的制備方法，其中，形成所述緩沖層的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。