[發(fā)明專(zhuān)利]導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710263475.3 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108735761A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝蒂旎;張曉晉;李偉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 王曉燕 |
| 地址： | 100015 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬圖案 導(dǎo)電圖案 側(cè)表面 顯示裝置 陣列基板 制備 導(dǎo)電性 金屬 產(chǎn)品良率 結(jié)構(gòu)制作 外界環(huán)境 對(duì)設(shè)備 活性比 包覆 生產(chǎn)成本 覆蓋 | ||
1.一種導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，包括：第一金屬圖案和第二金屬圖案，
其中，所述第二金屬圖案覆蓋所述第一金屬圖案的側(cè)表面；
形成所述第一金屬圖案的金屬的活性比形成所述第二金屬圖案的金屬的活性弱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，其中，形成所述第一金屬圖案的金屬包括銅基金屬和銀基金屬中的至少之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，其中，形成所述第二金屬圖案的金屬包括鎳、鉬、鈮、鋁和鈦中的至少之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，其中，所述銅基金屬包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述銀基金屬包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，其中，在所述銅基金屬中，銅的質(zhì)量百分含量為90wt％～100wt％；在所述銀基金屬中，銀的質(zhì)量百分含量為90wt％～100wt％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，還包括緩沖層，其中，所述第一金屬圖案設(shè)置在所述緩沖層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，其中，形成所述緩沖層的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，還包括覆蓋所述第一金屬圖案的上表面的第三金屬圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)，其中，形成所述第三金屬圖案的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi和TiNb中的至少之一。
10.一種陣列基板，包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)。
11.一種顯示裝置，包括權(quán)利要求10所述的陣列基板。
12.一種導(dǎo)電圖案結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：
形成第一金屬圖案；
在所述第一金屬圖案的側(cè)表面形成第二金屬圖案；其中，
形成所述第一金屬圖案的金屬的活性比形成所述第二金屬圖案的金屬的活性弱。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其中，在所述第一金屬圖案的側(cè)表面形成第二金屬圖案包括：將形成有所述第一金屬圖案的襯底基板置于包含第二金屬離子的溶液中，以形成包覆所述第一金屬圖案的側(cè)表面的第二金屬圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其中，形成所述第一金屬圖案的金屬包括銅基金屬和銀基金屬中的至少之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其中，形成所述第二金屬圖案的金屬包括鎳、鉬、鈮、鋁和鈦中的至少之一。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其中，所述包含第二金屬離子的溶液包括鎳、鉬、鈮、鋁或者鈦的氯化物、硝酸鹽或者硫酸鹽溶液。
17.根據(jù)權(quán)利要求12-16中任一項(xiàng)所述的制備方法，其中，形成所述第一金屬圖案之前，還包括：形成緩沖層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制備方法，其中，形成所述緩沖層的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
