[發明專利]晶圓表面平坦化方法

在審

• 申請號: 201710262317.6
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735591A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 趙厚瑩
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發明提供一種晶圓表面平坦化方法，包括以下步驟：1）提供一晶圓，所述晶圓包括相對的第一表面及第二表面；2）在所述晶圓的第一表面形成固化平坦層；3）對所述晶圓的第二表面進行研磨處理；4）對所述固化平坦層及所述晶圓的第一表面進行研磨處理，以去除所述固化平坦層，并將所述晶圓的第一表面平坦化。本發明的晶圓平坦化方法可以徹底消除晶圓表面的表面納米形貌，具有工藝步驟簡單、易于操作、效率較高等優點。

技術領域

本發明涉及半導體工藝技術領域，特別是涉及一種晶圓表面平坦化方法。

背景技術

隨著半導體工藝技術的發展，當達到0.25μm技術節點之后，表面納米形貌(nanotopography)已成為一個重要的關注點；表面納米形貌是指在晶圓表面形成的0.2mm～20mm的偏差，具體為線切割過程中在形成的晶圓表面形成的波紋狀結構。表面納米形貌對于淺溝槽隔離結構的CMP工藝具有顯著的影響。

近年來，已經提出了一些在晶圓拋光之前對切片形成的晶圓進行處理以消除表面納米形貌的方法，具體如下：

1.雙面研磨(Double Side Lapping)

雙面研磨的具體方法為：將晶圓水平放置，同時使用Al₂O₃和壓板同時覆蓋晶圓的兩側對晶圓進行研磨，該研磨方法可以有效地消除晶圓表面呈波紋狀的表面納米形貌。但是，該方法效率較低，耗時較長；此外，由于該方法要使用研磨漿料，容易對環境造成危害。

2.雙盤磨削(Doupble Disk Grinding，DDSG)

雙盤磨削的具體方法為：晶圓垂直放置于一載體上，通過流體靜壓力平衡并與載體一起以低速旋轉，同時，砂輪高速旋轉以對晶圓的兩表面同時進行研磨。然而，DDSG消除晶圓表面呈波紋狀的表面納米形貌的能力不穩定，且會產生如環形圖案的表面納米形貌。通常，尤其是對于對表面納米形貌有嚴格要求的先進工藝節點，在DDGS之后一般還需要使用表面磨削或精細研磨以進一步消除呈波紋狀的表面納米形貌及環形的表面納米形貌。

3.表面磨削(Surface Grinding)

表面磨削的具體方法為：晶圓具有相對的第一表面及第二表面，首先，夾持晶圓的第一表面并對晶圓的第二表面進行研磨，然后通過夾持晶圓的第二表面并對晶圓的第一表面進行研磨。然而，表面磨削并不能徹底消除呈波紋狀的表面納米形貌，在表面磨削的過程中，晶圓被夾持固定時晶圓表面的呈波紋狀的表面納米形貌暫時被去除，但當磨削結束晶圓被釋放后，晶圓表面呈波紋狀的表面納米形貌會再次出現。

發明內容

鑒于以上所述現有技術，本發明的目的在于提供一種晶圓表面平坦化方法，用于解決現有技術中的晶圓平坦化方法存在的效果不佳及不能徹底消除晶圓的表面納米形貌的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種上述晶圓表面平坦化方法，所述晶圓表面平坦化方法包括以下步驟：

1)提供一晶圓，所述晶圓包括相對的第一表面及第二表面；

2)在所述晶圓的第一表面形成固化平坦層；

3)對所述晶圓的第二表面進行研磨處理；

4)對所述固化平坦層及所述晶圓的第一表面進行研磨處理，以去除所述固化平坦層，并將所述晶圓的第一表面平坦化。

可選地，步驟2)中，在所述晶圓的第一表面形成固化平坦層包括如下步驟：

2-1)將所述晶圓置于真空吸盤表面，所述晶圓的第二表面與所述真空吸盤的表面相接觸；

2-2)將液態可固化樹脂滴覆于所述晶圓的第一表面，且使所述真空吸盤帶動所述晶圓旋轉，以在所述晶圓的第一表面形成樹脂層；