[發明專利]晶圓表面平坦化方法

在審

• 申請號: 201710262317.6
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735591A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 趙厚瑩
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種晶圓表面平坦化方法，其特征在于，所述晶圓表面平坦化方法包括以下步驟：

1)提供一晶圓，所述晶圓包括相對的第一表面及第二表面；

2)在所述晶圓的第一表面形成固化平坦層；

3)對所述晶圓的第二表面進行研磨處理；

4)對所述固化平坦層及所述晶圓的第一表面進行研磨處理，以去除所述固化平坦層，并將所述晶圓的第一表面平坦化。

2.根據權利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟2)中，在所述晶圓的第一表面形成固化平坦層包括如下步驟：

2-1)將所述晶圓置于真空吸盤表面，所述晶圓的第二表面與所述真空吸盤的表面相接觸；

2-2)將液態可固化樹脂滴覆于所述晶圓的第一表面，且使所述真空吸盤帶動所述晶圓旋轉，以在所述晶圓的第一表面形成樹脂層；

2-3)將所述樹脂層進行平坦化處理；

2-4)將所述樹脂層固化以得到所述固化平坦層。

3.根據權利要求2所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：所述真空吸盤帶動所述晶圓旋轉的速度為500r/min～10000r/min。

4.根據權利要求2所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟2-3)中，使用紫外光將所述樹脂層固化。

5.根據權利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟3)包括如下步驟：

3-1)使用2000目～10000目的砂輪對所述晶圓的第二表面進行粗研磨；

3-2)使用3000目～50000目的砂輪對所述晶圓的第二表面進行細研磨。

6.根據權利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟4)包括如下步驟：

4-1)使用2000目～10000目的砂輪去除所述固化平坦層，并對所述晶圓的第一表面進行粗研磨；

4-2)使用3000目～50000目的砂輪對所述晶圓的第一表面進行細研磨。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟1)與步驟2)之間還包括將所述晶圓置于雙端面磨床進行預處理的步驟。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟4)之后，還包括對步驟4)得到的晶圓表面依次進行刻蝕及拋光的步驟。