[發明專利]一種可提高出光效率的QLED及制備方法

有效

• 申請號: 201710261921.7
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735904B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 向超宇;張東華;李樂;辛征航;張滔
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種可提高出光效率的QLED及制備方法，QLED依次包括襯底、底電極、量子點發光層、納米粒子間相互團聚的納米粒子層、頂電極，所述納米粒子層為非平面結構。本發明在QLED的頂部引入納米粒子間相互團聚的納米粒子層，且納米粒子層具有非平面結構，利用所述納米粒子層可以提高QLED的光學提取率，從而有效的提高QLED的發光效率。同時本發明的結構不影響QLED的器件電學性能，滿足工業化要求。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種可提高出光效率的QLED及制備方法。

背景技術

相比于有機熒光發光體，基于量子點的QLED具有高色純、長壽命和易分散等優點，且可利用印刷工藝制備，被普遍認為是下一代顯示技術的有力競爭者。

現有技術中，QLED是平面薄膜結構，由于每層薄膜的折射率不同，在薄膜界面會產生光學反射。因此從量子點發出的光會被限制到QLED中。理論計算認為約只有20%左右的光會從QLED中發射，剩余80%的光會被限制在QLED的不同部分，這導致現有的QLED出光效率較低。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種可提高出光效率的QLED及制備方法，旨在解決現有的QLED出光效率低的問題。

本發明的技術方案如下：

一種可提高出光效率的QLED，其中，依次包括襯底、底電極、量子點發光層、納米粒子間相互團聚的納米粒子層、頂電極，所述納米粒子層為非平面結構。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述納米粒子層的團聚程度為：在平面上小于1μm，在縱向上小于100nm。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述納米粒子層為不定型的非平面結構。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述納米粒子層的厚度為10~100nm。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述納米粒子層的材料為TiO_x或ZnO。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述納米粒子層中的納米粒子尺寸小于30nm。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述QLED的量子點發光層與納米粒子層之間還設置有電子傳輸層。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述QLED的底電極與量子點發光層之間還設置有空穴傳輸層和空穴注入層。

一種如上所述的可提高出光效率的QLED的制備方法，其中，包括步驟：

A、在襯底上制作底電極；

B、在底電極上沉積量子點發光層；

C、通過溶液法在量子點發光層上制作納米粒子間相互團聚的納米粒子層，所述納米粒子層為非平面結構；

D、在納米粒子層表面制作頂電極。

所述的制備方法，其中，所述步驟C中，采用旋涂法制作納米粒子層。

有益效果：本發明在QLED的頂部引入納米粒子間相互團聚的納米粒子層，且納米粒子層具有非平面結構，利用所述納米粒子層可以提高QLED的光學提取率，從而有效的提高QLED的發光效率。同時本發明的結構不影響QLED的器件電學性能，滿足工業化要求。

附圖說明

圖1為本發明可提高出光效率的QLED較佳實施例的結構示意圖。

圖2為本發明可提高出光效率的QLED具體實施例的結構示意圖。