[發明專利]一種可提高出光效率的QLED及制備方法有效
| 申請號： | 201710261921.7 | 申請日： | 2017-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN108735904B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 向超宇;張東華;李樂;辛征航;張滔 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 效率 qled 制備 方法 | ||
1.一種可提高出光效率的QLED，其特征在于，依次包括襯底、底電極、量子點發光層、納米粒子間相互團聚的納米粒子層、頂電極，所述納米粒子層為非平面結構；
所述納米粒子層的團聚程度為：在平面上小于1μm，在縱向上小于100nm。
2.根據權利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述納米粒子層為不定型的非平面結構。
3.根據權利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述納米粒子層的厚度為10～100nm。
4.根據權利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述納米粒子層的材料為TiOx或ZnO。
5.根據權利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述納米粒子層中的納米粒子尺寸小于30nm。
6.根據權利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述QLED的量子點發光層與納米粒子層之間還設置有電子傳輸層。
7.根據權利要求6所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述QLED的底電極與量子點發光層之間還設置有空穴傳輸層和空穴注入層。
8.一種如權利要求1所述的可提高出光效率的QLED的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、在襯底上制作底電極；
B、在底電極上沉積量子點發光層；
C、通過溶液法在量子點發光層上制作納米粒子間相互團聚的納米粒子層，所述納米粒子層為非平面結構；
D、在納米粒子層表面制作頂電極。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟C中，采用旋涂法制作納米粒子層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
