[發明專利]存儲單元扭曲測量方法

有效

• 申請號: 201710261598.3
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107084697B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 劉磊;陸磊;周第廷
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01B21/20
• 分類號: G01B21/20;G11C29/56
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供了一種存儲單元扭曲測量方法，所述存儲單元扭曲測量方法包括：確定所述存儲單元的左邊界和左基準線，和/或確定所述存儲單元的右邊界和右基準線；計算所述左邊界與所述左基準線的方差，和/或計算所述右邊界與所述右基準線的方差；其中，所述方差與所述存儲單元的扭曲程度呈正比。本發明中的存儲單元扭曲測量方法，通過得到的一個或多個方差值來度量存儲單元扭曲程度的值，只使用普通的掃描裝置和計算單元即可實現，克服了現有技術中手動測量的精度低、誤差大、操作繁瑣的問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲單元扭曲測量方法。

背景技術

三維非易失性存儲器件中，包括一個或多個存儲單元，存儲單元的扭曲程度是非常關鍵的參數，如果存儲單元存在較大的扭曲度，而且由于測量儀器精度不高，或測量方法不合理，會造成存儲單元的扭曲在整個存儲器件的制作過程中沒有得到適當的處理，不但使存儲器件的關鍵尺寸測量不準確，難以控制，還會造成某些存儲單元之間的連接關系出錯，整個存儲器件失效。現有的存儲單元的扭曲測量是利用傳統的測量儀器進行手動測量，效率很低，且精度無法保證。

因此，需要設計一種精度高的存儲單元扭曲測量方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲單元扭曲測量方法，以解決現有的存儲單元扭曲測量方法無法保證精度的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種存儲單元扭曲測量方法，所述存儲單元扭曲測量方法包括：

確定所述存儲單元的左邊界和左基準線，和/或確定所述存儲單元的右邊界和右基準線；

計算所述左邊界與所述左基準線的方差，和/或計算所述右邊界與所述右基準線的方差；

其中，所述方差與所述存儲單元的扭曲程度呈正比。

可選的，在所述的存儲單元扭曲測量方法中，所述確定所述存儲單元的左邊界和/或右邊界包括：

通過掃描對所述存儲單元的圖像的灰度值進行采集；

根據所述灰度值對所述存儲單元的圖像進行處理，大于一閾值灰度值的圖像部分存儲為黑色圖像，小于所述閾值灰度值的圖像部分存儲為白色圖像；

以所述黑色圖像為基準，若其自身與所述白色圖像的邊界位于其自身的左邊，則所述邊界為左邊界，若其自身與所述白色圖像的邊界位于其自身的右邊，則所述邊界為右邊界。

可選的，在所述的存儲單元扭曲測量方法中，所述存儲單元的數量為多個，多個所述存儲單元設置在一存儲器件中，其中：

所述存儲器件包括上邊界和下邊界，所述上邊界到所述下邊界的最短距離為垂直方向；

多個所述存儲單元沿所述垂直方向排列。

可選的，在所述的存儲單元扭曲測量方法中，所述存儲單元的數量為單個，所述存儲單元還包括上邊界和下邊界，其中：

所述上邊界到所述下邊界的最短距離為垂直方向。

可選的，在所述的存儲單元扭曲測量方法中，所述確定所述存儲單元的左基準線和/或右基準線包括：

將所述存儲器件的垂直方向設置為所述左基準線和所述右基準線的方向；

在所述左邊界上選擇多個左基準線采集點，并采集多個所述左基準線采集點在垂直方向上的坐標值，將所述左基準線采集點在垂直方向上的坐標值進行平均計算，獲得第一平均值，將所述第一平均值作為所述左基準線在垂直方向上的坐標值；

在所述右邊界上選擇多個右基準線采集點，并采集多個所述右基準線采集點在垂直方向上的坐標值，將所述右基準線采集點在垂直方向上的坐標值進行平均計算，獲得第二平均值，將所述第二平均值作為所述右基準線在垂直方向上的坐標值；