[發(fā)明專利]IC的電壓降和電遷移的分析方法及計算機可讀存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710259376.8 | 申請日： | 2017-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN107403024A | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳俊良 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ic 電壓 遷移 分析 方法 計算機 可讀 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種集成電路的電壓降和電遷移的分析方法，其特征在于，包括：
得到該集成電路的布局，其中該布局被劃分為多個塊且每個塊對應特定的功能；
根據(jù)該多個塊的功率相關信息，得到多個操作功率和多個工作溫度，其中該多個塊中的每個塊具有單獨的操作功率和單獨的工作溫度；以及
根據(jù)該每個塊對應的操作功率和工作溫度，來驗證該每個塊。
2.如權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，進一步包括：
當驗證完該每個塊之后，檢查在該多個塊中是否存在電壓降違規(guī)或者電遷移違規(guī)。
3.如權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，進一步包括：
當在該多個塊中存在該電壓降違規(guī)或該電遷移違規(guī)時，調(diào)整該布局。
4.如權(quán)利要求3所述的分析方法，其特征在于，調(diào)整該布局的步驟包括：
對于該多個塊中的第一塊，增加該第一塊中的至少一條導線的寬度，其中該第一塊為存在該電壓降違規(guī)或該電遷移違規(guī)的塊。
5.如權(quán)利要求4所述的分析方法，其特征在于，進一步包括：
根據(jù)該第一塊對應的操作功率和工作溫度，再次驗證該第一塊。
6.如權(quán)利要求2所述的分析方法，其特征在于，進一步包括：
當在該多個塊中的每一個中均不存在該電壓降違規(guī)或者該電遷移違規(guī)時，根據(jù)該布局制造該集成電路。
7.如權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，根據(jù)該多個塊的功率相關信息，得到多個操作功率和多個工作溫度的步驟包括：
根據(jù)該多個塊中的每個塊的功率消耗，來確定該每個塊對應的操作功率和對應的工作溫度。
8.如權(quán)利要求6所述的分析方法，其特征在于，在該多個塊中，不同塊的對應的操作功率和工作溫度不同。
9.如權(quán)利要求1所述的分析方法，其特征在于，該多個塊中，不同塊的功能不同。
10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，該計算機可讀存儲介質(zhì)為非易失性的，且用于存儲可由計算機執(zhí)行的并且能夠?qū)е略撚嬎銠C執(zhí)行權(quán)利要求1～9中任一項所述的分析方法的指令。
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