[發(fā)明專利]基于FinFET晶體管的電流模RM或非-異或單元電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710259212.5 | 申請日： | 2017-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN107222204B | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡建平;熊陽;楊廷鋒;汪佳峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | H03K19/20 | 分類號： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 finfet 晶體管 電流 rm 單元 電路 | ||
1.一種基于FinFET晶體管的電流模RM或非-異或單元電路，其特征在于包括第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管和第七N型FinFET管，所述的第一P型FinFET管和所述的第二P型FinFET管分別為低閾值P型FinFET管，所述的第一N型FinFET管、所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管、所述的第五N型FinFET管和所述的第七N型FinFET管為低閾值N型FinFET管，所述的第六N型FinFET管為高閾值N型FinFET管；
所述的第一P型FinFET管的源極和所述的第二P型FinFET管的源極均接入電源，所述的第一P型FinFET管的前柵、所述的第一P型FinFET管的背柵、所述的第二P型FinFET管的前柵和所述的第二P型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第一控制端，所述的第一P型FinFET管的漏極、所述的第一N型FinFET管的漏極和所述的第三N型FinFET管的漏極連接且其連接端為所述的電流模RM或非-異或單元電路的輸出端，用于輸出或非-異或邏輯信號，所述的第二P型FinFET管的漏極、所述的第二N型FinFET管的漏極和所述的第四N型FinFET管的漏極連接，所述的第一N型FinFET管的源極、所述的第二N型FinFET管的源極和所述的第五N型FinFET管的漏極連接，所述的第三N型FinFET管的源極、所述的第四N型FinFET管的源極和所述的第六N型FinFET管的漏極連接，所述的第五N型FinFET管的源極、所述的第六N型FinFET管的源極和所述的第七N型FinFET管的漏極連接，所述的第七N型FinFET管的源極接地，所述的第七N型FinFET管的前柵和所述的第七N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第二控制端，所述的第五N型FinFET管的背柵為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第一輸入端，接入第一輸入信號，所述的第五N型FinFET管的前柵為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第二輸入端，接入第二輸入信號，所述的第二N型FinFET管的前柵、所述的第二N型FinFET管的背柵、所述的第三N型FinFET管的前柵和所述的第三N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第三輸入端，接入第三輸入信號，所述的第六N型FinFET管的前柵為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第一反相輸入端，接入第一輸入信號的反相信號，所述的第六N型FinFET管的背柵為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第二反相輸入端，接入第二輸入信號的反相信號，所述的第一N型FinFET管的前柵、所述的第一N型FinFET管的背柵、所述的第四N型FinFET管的前柵和所述的第四N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模RM或非-異或單元電路的第三反相輸入端，接入第三輸入信號的反相信號；
所述的第一P型FinFET管和所述的第二P型FinFET管的閾值電壓均為0.17V，所述的第一N型FinFET管、所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管和所述的第七N型FinFET管的閾值電壓為0.33V；所述的第五N型FinFET管的閾值電壓為0.47v，所述的第六N型FinFET管的閾值電壓為0.70v。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FinFET晶體管的電流模RM或非-異或單元電路，其特征在于所述的第一P型FinFET管鰭的個數(shù)為1，所述的第二P型FinFET管鰭的個數(shù)為1，所述的第一N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，所述的第二N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，所述的第三N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，所述的第四N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，所述的第五N型FinFET管鰭的個數(shù)為4，所述的第六N型FinFET管鰭的個數(shù)為6，所述的第七N型FinFET管鰭的個數(shù)為6。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧波大學，未經(jīng)寧波大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710259212.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種海參秋葵老酒的制備方法
- 下一篇：一種養(yǎng)生保健酒
