[發明專利]一種醫療芯片的體內電源模塊及芯片系統

在審

• 申請號: 201710259199.3
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN106911256A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 劉博文
• 申請（專利權）人: 劉博文
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02N2/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及醫療保健設備領域，尤其涉及的是一種醫療芯片的體內電源模塊及芯片系統。

背景技術

近年來，伴隨著微電子技術的高速發展，微芯片逐漸在醫學工程領域開始應用。系統芯片(SOC)的出現，使微芯片上的器件密度達到了人腦神經元的密度水平，醫療芯片成為一個重要的發展方向。采用金屬導線與芯片直接相連的傳輸方式容易導致二次感染，現有的醫療芯片的供電多采用埋設電池裝置的方式，導致整個裝置的體積重量較大，這樣可能帶來一些對人體不利的后果。而采用無線射頻傳輸的方式會因為線圈較大而限制其使用位置，且容易受其他射頻信號的干擾。現有的體外無線供電所產生的電壓不夠穩定，造成植入設備的壽命縮短。基于此，本發明提供了一種具有更高精度和穩定性的醫療芯片體內電源模塊及芯片系統。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有的醫療芯片體內電源模塊體積重量大、精度低、穩定性差的問題，提供了一種具有更高精度和穩定性的醫療芯片體內電源模塊及芯片系統。

本發明提供了一種醫療芯片體內電源模塊及芯片系統，所述體內電源模塊包括整流模塊和穩壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負極、第二端接地電壓，所述穩壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發射極，另一端接地電壓；所述第一三極管Q1和所述第二三極管Q2均為PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第四NMOS管N4的源極接地電壓；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源極連接第一二極管D1的負極，第六PMOS管P7的柵極連接第二運算放大器OP2的輸出端，第六PMOS管P7的漏極連接第七PMOS管P8的漏極，第七PMOS管P8的源極連接第一二極管D1的負極，第七PMOS管P8的柵極連接第一NMOS管N1的漏極，第七PMOS管P8的漏極連接輸出端VOUT，第六電阻R6的第一端連接第七PMOS管P8的漏極，第六電阻R6的第二端接地電壓。

所述芯片系統包括壓電陶瓷、體內電源模塊、傳感器、數據存儲裝置、數據讀取裝置；所述壓電陶瓷通過接受人體外發送的超聲波產生電壓VIN作為體內電源模塊的輸入；所述體內電源模塊為傳感器、數據存儲裝置、數據讀取裝置提供電源，所述傳感器用于檢測數據，并將數據存儲在數據存儲裝置中，數據讀取裝置用于讀取數據。

本發明所提供的一種醫療芯片體內電源模塊，有效地解決了現有技術中醫療芯片體內電源模塊體積重量大、精度低、穩定性差的問題，提高了抑制電壓波動的性能，具有更高精度和穩定性。

附圖說明