[發明專利]一種醫療芯片的體內電源模塊及芯片系統

在審

• 申請號: 201710259199.3
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN106911256A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 劉博文
• 申請（專利權）人: 劉博文
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02N2/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種醫療芯片的體內電源模塊，其特征在于，所述體內電源模塊包括整流模塊和穩壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負極、第二端接地電壓，所述穩壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發射極，另一端接地電壓；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第四NMOS管N4的源極接地電壓；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源極連接第一二極管D1的負極，第六PMOS管P7的柵極連接第二運算放大器OP2的輸出端，第六PMOS管P7的漏極連接第七PMOS管P8的漏極，第七PMOS管P8的源極連接第一二極管D1的負極，第七PMOS管P8的柵極連接第一NMOS管N1的漏極，第七PMOS管P8的漏極連接輸出端VOUT，第六電阻R6的第一端連接第七PMOS管P8的漏極，第六電阻R6的第二端接地電壓。

2.如權利要求1所述的一種醫療芯片的體內電源模塊，其特征在于，所述第一三極管Q1和所述第二三極管Q2均為PNP管。

3.一種包括權利要求1所述的醫療芯片的體內電源模塊的芯片系統，其特征在于，所述芯片系統還包括壓電陶瓷、傳感器、數據存儲裝置和數據讀取裝置。