[發明專利]一種光導開關及其制備方法

在審

• 申請號: 201710254689.4
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN108735849A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 王華杰;王燕;保羅·邦凡蒂
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/0312;H01L31/18
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

1.一種光導開關，其特征在于，包括：

硅襯底；

位于所述硅襯底上的碳化硅薄膜；

位于所述碳化硅薄膜上的金屬電極。

2.如權利要求1所述的光導開關，其特征在于，所述的碳化硅為3C碳化硅。

3.如權利要求1所述的光導開關，其特征在于，所述碳化硅薄膜的電阻率大于100000Ω·cm。

4.如權利要求1所述的光導開關，其特征在于，所述碳化硅薄膜的厚度大于20μm。

5.如權利要求1所述的光導開關，其特征在于，所述金屬電極為兩個，其中一個為正極，另一個為負極。

6.一種光導開關的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一硅襯底；

在所述硅襯底上形成碳化硅薄膜；

在所述碳化硅薄膜上形成金屬電極。

7.如權利要求6所述的光導開關的制備方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜采用化學氣相沉積法沉積而成。

8.如權利要求6所述的光導開關的制備方法，其特征在于，在所述硅襯底上形成碳化硅薄膜包括：采用氫氣與氯化氫氣體對硅襯底表面進行刻蝕處理，去除硅表面氧化層與損傷層；采用丙烷和硅烷作為反應氣體，在氫氣氛圍下生成碳化硅薄膜。

9.如權利要求6所述的光導開關的制備方法，其特征在于，在提供一硅襯底之后，在所述硅襯底上形成碳化硅薄膜之前，還包括：對所述硅襯底進行清洗。

10.如權利要求6所述的光導開關的制備方法，其特征在于，在所述碳化硅薄膜上形成金屬電極包括：

在碳化硅薄膜上形成光刻膠；

在所述光刻膠中形成開口，暴露出所述碳化硅薄膜；

在所述碳化硅薄膜上進行金屬沉積，填充滿所述開口；

去除所述金屬位于所述光刻膠上的部分，僅保留位于所述開口中的部分，形成所述金屬電極；

去除所述光刻膠；

在氬氣氛下進行快速熱退火處理。