[發明專利]晶圓處理方法在審
| 申請號： | 201710254307.8 | 申請日： | 2017-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN108735575A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 三重野文健 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 金屬污染 熱處理 濕法處理 刻蝕 預處理 析出 金屬分子 濕法工藝 除掉 去除 種晶 金屬 | ||
1.一種晶圓處理方法，其特征在于，所述晶圓處理方法包括：
提供一晶圓，所述晶圓上具有金屬污染；
將所述晶圓進行濕法處理；
將濕法處理后的所述晶圓進行熱處理；
將熱處理后的所述晶圓進行刻蝕處理。
2.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述金屬污染包括銅、鈦、鉻、鉬、鎢或鎳中的一種或多種。
3.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述濕法工藝采用的溶液包括氫氧化銨和過氧化氫。
4.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為150℃～600℃。
5.如權利要求1或4所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述熱處理的氣體環境為氮氣。
6.如權利要求1或4所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述熱處理的時間為2小時～5小時。
7.如權利要求1至4中任意一項所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述刻蝕處理為濕法刻蝕。
8.如權利要求7所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的溶液包括硝酸與氫氟酸；或者，采用的溶液包括氫氧化鉀與乙丙醇。
9.如權利要求7所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述刻蝕處理刻蝕掉厚度在1um以內的熱處理后的所述晶圓。
10.如權利要求1至4中任意一項所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述晶圓處理方法還包括：對刻蝕處理后的所述晶圓進行金屬含量測試。
11.如權利要求10所述的晶圓處理方法，其特征在于，通過微波光電導衰減測試對刻蝕處理后的所述晶圓進行金屬含量測試。
12.如權利要求10所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述微波光電導衰減測試包括：所述晶圓為N型摻雜時，測試時間在1000uS以上；或者，所述晶圓為P型摻雜時，測試時間在100uS以上。
13.如權利要求10所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述微波光電導衰減測試按密勒指數對刻蝕處理后的所述晶圓進行測試。
14.如權利要求10所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述晶圓處理方法還包括：再次進行所述熱處理和再次進行所述刻蝕處理。
15.如權利要求1至4中任意一項所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述晶圓處理方法還包括：將刻蝕處理后的所述晶圓的表面進行氧化處理形成氧化硅層。
16.如權利要求14所述的晶圓處理方法，其特征在于，形成所述氧化硅層的工藝條件包括：在氧氣和氬氣環境下，溫度為700℃～1000℃。
17.如權利要求14所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度在50nm以內。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
