[發明專利]晶圓處理方法

在審

• 申請號: 201710254307.8
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN108735575A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 三重野文健
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 余昌昊

本發明提供一種晶圓處理方法，包括：提供一晶圓，所述晶圓上具有金屬污染；將所述晶圓進行濕法處理；將濕法處理后的所述晶圓進行熱處理；將熱處理后的所述晶圓進行刻蝕處理。本發明提供的晶圓處理方法，對具有金屬污染的晶圓進行處理，先通過濕法工藝進行預處理去除晶圓外表面的金屬污染，再經熱處理可將金屬分子析出到晶圓表層，然后經刻蝕處理將晶圓表層上的金屬污染去除掉，從而解決了晶圓中金屬含量過高的問題。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓處理方法。

背景技術

隨著半導體制造技術的不斷發展，晶圓的特征尺寸已進入納米時代，這也向半導體制造技術提出新的挑戰，晶圓越來越薄，低K介質的運用也越來越廣泛，因此對晶圓上金屬濃度的要求也越來越高，如果金屬濃度過高，會影響到晶圓上形成的膜層及器件的電氣性能等。

現有的半導體制造技術對晶圓中硅的純度已經可以做到高達99.9999％，但是在眾多的工藝中，難免會受到金屬污染，例如，在晶圓從晶錠上切割下來需要的化學機械研磨(CMP)等后段工藝中，以及其它金屬沉積工藝中，晶圓上殘留的金屬分子將有可能影響后面生產出來的芯片的質量。

因此，如何對晶圓進行處理以防止晶圓上金屬濃度過高的問題是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓處理方法，解決晶圓上金屬濃度過高的問題。

為了解決上述問題，本發明提供一種晶圓處理方法，包括：

提供一晶圓，所述晶圓上具有金屬污染；

將所述晶圓進行濕法處理；

將濕法處理后的所述晶圓進行熱處理；

將熱處理后的所述晶圓進行刻蝕處理。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述金屬污染包括銅、鈦、鉻、鉬、鎢或鎳中的一種或多種。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述濕法工藝采用的溶液包括氫氧化銨和過氧化氫。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述熱處理的溫度為150℃～600℃。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述熱處理的氣體環境為氮氣。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述熱處理的時間為2小時～5小時。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述刻蝕處理為濕法刻蝕。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述濕法刻蝕采用的溶液包括硝酸與氫氟酸；或者，采用的溶液包括氫氧化鉀與乙丙醇。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述刻蝕處理刻蝕掉厚度在1um以內的熱處理后的所述晶圓。

可選的，在所述晶圓處理方法中，還包括：對刻蝕處理后的所述晶圓進行金屬含量測試

可選的，在所述晶圓處理方法中，通過微波光電導衰減測試對刻蝕處理后的所述晶圓進行金屬含量測試。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述微波光電導衰減測試包括：所述晶圓為N型摻雜時，測試時間在1000uS以上；或者，所述晶圓為P型摻雜時，測試時間在100uS以上。

可選的，在所述晶圓處理方法中，所述微波光電導衰減測試按密勒指數對刻蝕處理后的所述晶圓進行測試。

可選的，在所述晶圓處理方法中，還包括：再次進行所述熱處理和再次進行所述刻蝕處理。

可選的，在所述晶圓處理方法中，還包括：將刻蝕處理后的所述晶圓的表面進行氧化處理形成氧化硅層。