[發明專利]一種LED燈硅片電路板的制作工藝

在審

• 申請號: 201710249676.8
• 申請日: 2017-04-17
• 公開（公告）號: CN107068816A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 尤業明;馬光輝;楊先勇;劉圣豪;解曙光;彭昌余;余曉梅;馬杰
• 申請（專利權）人: 安徽一路明光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L21/02
• 代理公司: 六安眾信知識產權代理事務所(普通合伙)34123
• 代理人: 黎照西

技術領域

本發明涉及到LED燈的加工工藝方面的領域，特別是對LED燈的硅片電路板的加工方面的改進，尤其涉及到一種LED燈硅片電路板的制作工藝。

背景技術

隨著生活水平的提高，人們對日常照明的要求也相對較高，在照明的同時也需要對LED燈的使用普遍較多，因此就需要對LED燈的硅片電路板進行大量的加工制造，在以往的電路板的制作中，由于使用的制作方法不合理，導致在制作時電路板的表面容易觸發化學反應，造成電路板表面形成表面凹陷和孔洞，以致影響整塊電路板的走線和使用，因此在很大程度上提高了電路板的報廢率，降低生產效率，同時也增加了生產成本。

因此，提供一種LED燈硅片電路板的制作工藝，以期能夠通過對LED燈的電路板進行加工工藝的改進，在電路板加工時對電路板的表面進行退火氧化處理，在電路板的表面形成一種保護膜，防止電路板表面的硅原子發生化學反應，防止電路板表面凹陷和孔洞的形成，同時，對電路板的邊角進行處理，在很大程度上提高了電路板邊角的整齊性，能夠改善硅面的曲度和平整度，提高電路板的質量，提高生產效率，降低生產成本，就成為本領域技術人員亟需解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種LED燈硅片電路板的制作工藝，以期能夠通過對LED燈的電路板進行加工工藝的改進，在電路板加工時對電路板的表面進行退火氧化處理，在電路板的表面形成一種保護膜，防止電路板表面的硅原子發生化學反應，防止電路板表面凹陷和孔洞的形成，同時，對電路板的邊角進行處理，在很大程度上提高了電路板邊角的整齊性，能夠改善硅面的曲度和平整度，提高電路板的質量，提高生產效率，降低生產成本。

為解決背景技術中所述技術問題，本發明采用以下技術方案：

一種LED燈硅片電路板的制作工藝，其硅片電路板的制作工藝步驟為：

(1)固定切片，將事先準備好的單晶硅棒固定到加工臺上，然后將單晶硅切割成厚度均勻的單晶硅片，同時采用蒸餾水持續淋到單晶硅片上；

(2)熱退火處理，將上一步切片完成后的單晶硅片通過熱氧化爐進行高溫加熱并且進行退火處理，直至加熱到400—450℃，然后在向熱氧化爐內的單晶硅片的表面充入氧氣，并且持續10—15min；

(3)倒角修整處理，將步驟2退火處理后的單晶硅片的邊緣通過精細磨砂輪進行磨砂修整處理，將單晶硅片的邊角打磨成圓弧形，且圓弧的弧度為90度，在磨砂修整處理時磨砂輪的轉速設為50—60rad/min，

(4)硅片電路板的研磨、清洗處理，將上一步倒角打磨處理的單晶硅片進行精細拋光處理，同時向單晶硅片的表面噴灑蒸餾水進行清洗，且對單晶硅片進行精研磨時的研磨速度為80—90rad/min。

優選地，所述的步驟2中對單晶硅片進行高溫加熱時，高溫熱氧化爐的溫度升高速度為20—30℃/min，通過對高溫熱氧化爐的升溫速度進行控制，能夠使單晶硅片加熱受熱更加均勻，能夠有效的減小單晶硅片內外的溫度差，防止加熱時由于內外溫度差出現單晶硅片出現裂痕，提高單晶硅片的加熱穩定性。

優選地，所述的步驟2中對單晶硅片進行高溫加熱前，持續向高溫熱氧化爐內填充氮氣，直至高溫熱氧化爐內的氣體被排出完。將內部的空氣排出干凈，能夠防止空氣中的其他氣體跟硅原子發生化學反應，影響硅電路板表面保護膜的質量。

優選地，所述的步驟4中對單晶硅片進行清洗時，保證單晶硅片進行軸向勻速旋轉，且單晶硅片的旋轉角速度為15—18rad/min，通過對單晶硅片進行旋轉清洗，能夠提高清洗程度，防止表面殘留打磨之后的殘渣，影響單晶硅片的表面質量。

本發明的有益效果是：

1)、防止電路板表面的硅原子發生化學反應，防止電路板表面凹陷和孔洞的形成，提高電路板的質量，提高生產效率，降低生產成本。

2)、同時對電路板的邊角進行處理，在很大程度上提高了電路板邊角的整齊性，能夠改善硅面的曲度和平整度。

具體實施方式

為了使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面將對本發明作進一步的詳細介紹。

實施例1：

一種LED燈硅片電路板的制作工藝，其硅片電路板的制作工藝步驟為：

(1)固定切片，將事先準備好的單晶硅棒固定到加工臺上，然后將單晶硅切割成厚度均勻的單晶硅片，同時采用蒸餾水持續淋到單晶硅片上；