[發明專利]一種LED燈硅片電路板的制作工藝

在審

• 申請號: 201710249676.8
• 申請日: 2017-04-17
• 公開（公告）號: CN107068816A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 尤業明;馬光輝;楊先勇;劉圣豪;解曙光;彭昌余;余曉梅;馬杰
• 申請（專利權）人: 安徽一路明光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L21/02
• 代理公司: 六安眾信知識產權代理事務所(普通合伙)34123
• 代理人: 黎照西

1.一種LED燈硅片電路板的制作工藝，其特征在于：其硅片電路板的制作工藝步驟為：

(1)固定切片，將事先準備好的單晶硅棒固定到加工臺上，然后將單晶硅切割成厚度均勻的單晶硅片，同時采用蒸餾水持續淋到單晶硅片上；

(2)熱退火處理，將上一步切片完成后的單晶硅片通過熱氧化爐進行高溫加熱并且進行退火處理，直至加熱到400—450℃，然后在向熱氧化爐內的單晶硅片的表面充入氧氣，并且持續10—15min；

(3)倒角修整處理，將步驟2退火處理后的單晶硅片的邊緣通過精細磨砂輪進行磨砂修整處理，將單晶硅片的邊角打磨成圓弧形，且圓弧的弧度為90度，在磨砂修整處理時磨砂輪的轉速設為50—60rad/min，

(4)硅片電路板的研磨、清洗處理，將上一步倒角打磨處理的單晶硅片進行精細拋光處理，同時向單晶硅片的表面噴灑蒸餾水進行清洗，且對單晶硅片進行精研磨時的研磨速度為80—90rad/min。

2.根據權利要求1所述的一種LED燈硅片電路板的制作工藝，其特征在于，所述的步驟2中對單晶硅片進行高溫加熱時，高溫熱氧化爐的溫度升高速度為20—30℃/min。

3.根據權利要求1所述的一種LED燈硅片電路板的制作工藝，其特征在于，所述的步驟2中對單晶硅片進行高溫加熱前，持續向高溫熱氧化爐內填充氮氣，直至高溫熱氧化爐內的氣體被排出完。

4.根據權利要求1所述的一種LED燈硅片電路板的制作工藝，其特征在于，所述的步驟4中對單晶硅片進行清洗時，保證單晶硅片進行軸向勻速旋轉，且單晶硅片的旋轉角速度為15—18rad/min。