[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710248647.X | 申請(qǐng)日： | 2017-04-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107785051B | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 妹尾真言;須藤直昭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C16/34 | 分類號(hào)： | G11C16/34;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣臺(tái)*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：
非易失性的存儲(chǔ)單元陣列；以及
擦除部件，擦除所述存儲(chǔ)單元陣列的選擇存儲(chǔ)單元，
所述擦除部件還包含：
監(jiān)控部件，在開始所述選擇存儲(chǔ)單元的擦除動(dòng)作之前，對(duì)監(jiān)控用存儲(chǔ)單元的閾值變化進(jìn)行監(jiān)控；以及
決定部件，基于所述監(jiān)控部件的監(jiān)控結(jié)果來決定擦除電壓，
其中所述監(jiān)控部件包含：
施加部件，對(duì)所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元施加比所述擦除部件時(shí)施加的所述擦除電壓小的監(jiān)控用擦除電壓；以及
校驗(yàn)部件，對(duì)施加有所述監(jiān)控用擦除電壓的所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元進(jìn)行校驗(yàn)，所述決定部件基于所述校驗(yàn)部件的校驗(yàn)結(jié)果來決定所述擦除電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件基于所述校驗(yàn)部件的校驗(yàn)結(jié)果來決定與編程/擦除的循環(huán)數(shù)相應(yīng)的所述擦除電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件隨著循環(huán)數(shù)增加而加大所述擦除電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件決定擦除脈沖的初始電壓值與階梯電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件隨著循環(huán)數(shù)增加而減少擦除脈沖的最大施加次數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述校驗(yàn)部件從所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元的多個(gè)閾值中判定中央值的閾值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元是由所述擦除部件所選擇的區(qū)塊的存儲(chǔ)單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元是所述所選擇的區(qū)塊的未被用戶使用的區(qū)域的存儲(chǔ)單元。
9.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：
非易失性的存儲(chǔ)單元陣列；以及
編程部件，對(duì)所述存儲(chǔ)單元陣列的選擇存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，
所述編程部件更包含：
監(jiān)控部件，在進(jìn)行所述選擇存儲(chǔ)單元的編程動(dòng)作之前，對(duì)監(jiān)控用存儲(chǔ)單元的閾值變化進(jìn)行監(jiān)控；以及
決定部件，基于所述監(jiān)控部件的監(jiān)控結(jié)果來決定編程電壓，
其中所述監(jiān)控部件包含：
施加部件，對(duì)所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元施加比所述編程部件時(shí)施加的所述編程電壓小的監(jiān)控用編程電壓；以及
校驗(yàn)部件，對(duì)施加有所述監(jiān)控用編程電壓的所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元進(jìn)行校驗(yàn)，所述決定部件基于所述校驗(yàn)部件的校驗(yàn)結(jié)果來決定所述編程電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件基于所述校驗(yàn)部件的校驗(yàn)結(jié)果來決定與編程/擦除的循環(huán)數(shù)相應(yīng)的所述編程電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件隨著循環(huán)數(shù)增加而減小所述編程電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述決定部件決定編程脈沖的初始電壓值與階梯電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述校驗(yàn)部件從所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元的多個(gè)閾值中判定中央值的閾值。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元是由所述編程部件所選擇的頁面的存儲(chǔ)單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
所述監(jiān)控用存儲(chǔ)單元是所述所選擇的頁面的未被用戶使用的區(qū)域的存儲(chǔ)單元。
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