[發明專利]一種超高密度隨機存儲器架構

在審

• 申請號: 201710247398.2
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN108735773A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 肖榮福;郭一民;陳峻
• 申請（專利權）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22;H01L29/78
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種超高密度隨機存儲器架構，其特征在于包括：以垂直疊加的形式生成的第一半導體區域、第二半導體區域和第三半導體區域；在第三半導體區域正上方鄰接地形成有漏極，在第一半導體區域正下方鄰接地形成有源極，在第二半導體區域的兩側分別形成有一個柵極，其中柵極與第二半導體區域經由氧化物絕緣物隔開；其中，第一半導體區域和第三半導體區域具有第一摻雜類型，第二半導體區域具有第二摻雜類型。

2.一種超高密度隨機存儲器架構，其特征在于包括：以垂直疊加的形式生成的第一半導體區域、第二半導體區域和第三半導體區域；在第三半導體區域正上方鄰接地形成有漏極，在第一半導體區域正下方鄰接地形成有源極，在第二半導體區域的一側形成有一個柵極，在第二半導體區域的另一側不形成柵極，其中柵極與第二半導體區域經由氧化物絕緣物隔開；其中，第一半導體區域和第三半導體區域具有第一摻雜類型，第二半導體區域具有第二摻雜類型。

3.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，第一摻雜類型為n+型摻雜類型，第二摻雜類型為p型摻雜類型。

4.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，第一摻雜類型為p+型摻雜類型，第二摻雜類型為n型摻雜類型。

5.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，第一半導體區域和第三半導體區域的摻雜濃度大于第二半導體區域的摻雜濃度。

6.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，超高密度隨機存儲器架構具有常閉式電路控制功能。

7.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，源極連接隨機存儲器的源線并且接地。

8.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，漏極經由隨機存儲器記憶單元連接隨機存儲器的位線。

9.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，每一個隨機存儲器記憶單元上的記憶信息是通過開啟各自的柵極和流經相對應的源極和漏極之間的電流來寫入的；而且，隨機存儲器記憶單元上的記憶信息是通過開啟柵極和流經漏極和源極之間的一個適當小的讀電流來讀取的。

10.如權利要求1或2所述的超高密度隨機存儲器架構，其特征在于，所述超高密度隨機存儲器架構用于DRAM、RRAM、PRAM、FRAM、MRAM和pSTT-MRAM中的任何一種隨機存儲器的寫讀控制器。