[發明專利]TFT陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201710245925.6
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107104077B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 王勐
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

本發明提供一種TFT陣列基板的制作方法，以半色調掩膜板(3)為工具進行曝光，使得第二金屬層(M2)中放電TFT(T3)的漏極(D3)及其爬坡處的上方保留薄層的光阻(PR)，在后續的干法蝕刻過程中被保留的薄層的光阻(PR)對位于所述放電TFT(T3)的漏極(D3)的爬坡處以下的柵極絕緣層(GI)進行保護，避免柵極絕緣層(GI)在放電TFT(T3)的漏極(D3)的爬坡處因材質差異發生過蝕刻及底切問題，降低導電薄膜(9)破膜的風險，使得放電TFT(T3)的漏極(D3)與公共電壓線(Com)之間的橋接可靠，且不會損失開口率，從而改善面板的顯示效果，提高產品良率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板的制作方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)能夠顯示高清、連續、細膩的畫面，越來越受消費者青睞。

現有市場上的TFT-LCD通常包括殼體、設于殼體內的液晶面板及設于殼體內的背光模組。液晶面板由一彩色濾光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶體管陣列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產生畫面。

TFT-LCD要顯示連續、細膩的高清晰畫面，需要像素(Pixel)間做亮暗連貫性變化。兩個連續變化的像素可以通過給像素在相同時間內充入不同電量來使得上下電極或驅動電極間壓差不一致，從而使液晶偏轉角度不一致，光透過率不一致，達到亮暗連續變化的要求?，F有技術通常通過拉低不同像素的電位來實現在相同充電時間內不同像素的充電飽和度不同、充電電荷不同、電位不一致的效果。

如圖1所示，以3個TFT為驅動單元的設計方式已經普遍應用于控制單個像素的充電飽和度，其中第一金屬層中的柵極線G用于開啟第一充電TFT T1、第二充電TFT T2、與放電TFT T3，第一充電TFT T1與第二充電TFT T2這兩個TFT主要將第二金屬層中的數據線D傳輸的數據信號寫入對應的兩個相鄰像素進行充電，放電TFT T3直接電性連接第二充電TFTT2的漏極與電位較低的公共電壓線Com，將與第二充電TFT T2電性連接的像素的電荷導出以拉低該像素的電位，其中，所述放電TFT T3的漏極D3位于第二金屬層，公共電壓線Com位于第一金屬層。這樣設計的優點在于：可以在不犧牲開口率的前提下有效地拉低兩相鄰像素其中之一的電位。

請同時參閱圖2與圖3，結合圖1，為了實現放電TFT T3的漏極D3與公共電壓線Com之間的橋接，即第二金屬層M2與第一金屬層M1的橋接，現有的TFT陣列基板設置有過孔V’，所述過孔V’由保護層PV貫穿至柵極絕緣層GI，暴露出部分TFT T3的漏極D3與部分公共電壓線Com，導電薄膜9’如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)沉積在該過孔V’上用于連接放電TFT T3的漏極D3與公共電壓線Com。

如圖4、圖5所示，現有技術制作所述過孔V’的過程為：首先使用傳統的全色調光罩(Full Tone Mask)FTM進行曝光，去除擬形成過孔V’區域上的全部光阻PR；然后以剩余的光阻PR為遮蔽層對保護層PV與柵極絕緣層GI進行干法蝕刻，由于第二金屬層M2對干法蝕刻的阻擋以及干法蝕刻的化學性蝕刻特點，在TFT T3的漏極D3的爬坡(Tapper)處的柵極絕緣層GI容易出現底切(Under-cut)(圖5中虛線圈示出的區域)，形成銳利的尖角。在后續的導電薄膜9’沉積過程中，如圖3所示，柵極絕緣層GI的底切處容易引發導電薄膜9’破膜，導致電阻偏高及放電TFT T3的漏極D3與公共電壓線Com之間的橋接不可靠，從而影響面板的顯示效果，造成產品良率降低。

發明內容