[發明專利]TFT陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201710245925.6
• 申請日: 2017-04-14
• 公開（公告）號: CN107104077B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 王勐
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括在基板(1)上自下至上依次形成第一金屬層(M1)、柵極絕緣層(GI)、半導體有源層(2)、第二金屬層(M2)、及保護層(PV)，在所述保護層(PV)上涂布光阻(PR)；所述柵極絕緣層(GI)覆蓋所述第一金屬層(M1)，所述第一金屬層(M1)包括柵極線(G)、及公共電壓線(Com)；

所述保護層(PV)覆蓋所述第二金屬層(M2)，所述第二金屬層(M2)包括數據線(D)、第一源極(S1)、第一漏極(D1)、第二源極(S2)、第二漏極(D2)、第三源極(S3)、及第三漏極(D3)；

所述柵極線(G)、半導體有源層(2)、第一源極(S1)、及第一漏極(D1)構成第一充電TFT(T1)，所述柵極線(G)、半導體有源層(2)、第二源極(S2)、及第二漏極(D2)構成第二充電TFT(T2)，所述柵極線(G)、半導體有源層(2)、第三源極(S3)、及第三漏極(D3)構成放電TFT(T3)；

以半色調掩膜板(3)為工具進行曝光的步驟，使得第二金屬層(M2)中放電TFT(T3)的漏極(D3)及其爬坡處的上方保留薄層的光阻(PR)，在后續的干法蝕刻過程中對位于所述放電TFT(T3)的漏極(D3)的爬坡處以下的柵極絕緣層(GI)進行保護。

2.如權利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

步驟S1、在基板(1)上自下至上依次形成第一金屬層(M1)、柵極絕緣層(GI)、半導體有源層(2)、第二金屬層(M2)、及保護層(PV)，在所述保護層(PV)上涂布光阻(PR)；

所述柵極絕緣層(GI)覆蓋所述第一金屬層(M1)，所述第一金屬層(M1)包括柵極線(G)、及公共電壓線(Com)；

所述保護層(PV)覆蓋所述第二金屬層(M2)，所述第二金屬層(M2)包括數據線(D)、第一源極(S1)、第一漏極(D1)、第二源極(S2)、第二漏極(D2)、第三源極(S3)、及第三漏極(D3)；

所述柵極線(G)、半導體有源層(2)、第一源極(S1)、及第一漏極(D1)構成第一充電TFT(T1)，所述柵極線(G)、半導體有源層(2)、第二源極(S2)、及第二漏極(D2)構成第二充電TFT(T2)，所述柵極線(G)、半導體有源層(2)、第三源極(S3)、及第三漏極(D3)構成放電TFT(T3)；

步驟S2、提供半色調掩膜板(3)；

所述半色調掩膜板(3)包括間隔設置的第一遮光部(31)與第二遮光部(32)、連接所述第二遮光部(32)靠近第一遮光部(31)一側的半透光部(33)、及設在所述第一遮光部(31)與半透光部(33)之間的完全透光部(34)；

所述半透光部(33)對應位于第二金屬層(M2)中放電TFT(T3)的漏極(D3)及其爬坡處的上方，所述完全透光部(34)對應位于所述第一金屬層(M1)中公共電壓線(Com)靠近所述放電TFT(T3)的漏極且未被放電TFT(T3)的漏極(D3)所遮蓋的部分的上方；

步驟S3、以所述半色調掩膜板(3)為工具對光阻(PR)進行曝光，所述完全透光部(34)使得位于該完全透光部(34)之下的光阻(PR)被全部清除，而半透光部(33)使得第二金屬層(M2)中放電TFT(T3)的漏極(D3)及其爬坡處的上方保留薄層的光阻(PR)；

步驟S4、以曝光后剩余的光阻(PR)為遮蔽層進行干法蝕刻，得到由保護層(PV)貫穿至柵極絕緣層(GI)的過孔(V)。

3.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括步驟S5、在所述過孔(V)上沉積導電薄膜(9)，所述導電薄膜(9)橋接所述第二金屬層(M2)中放電TFT(T3)的漏極(D3)與第一金屬層(M1)中的公共電壓線(Com)。

4.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層(M1)的材料為銅、鋁、鉬中的一種或幾種的堆棧組合。

5.如權利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述柵極絕緣層(GI)的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的組合。