[發(fā)明專利]一種三維瓦片式微波封裝組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710245561.1
• 申請(qǐng)日: 2017-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN107017208B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 季興橋;來晉明;李悅;王超杰;余雷;吳昌勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十九研究所
• 主分類號(hào): H01L23/06
• 分類號(hào): H01L23/06;H01L23/10;H01L23/48
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 錢成岑

本發(fā)明公開了一種三維瓦片式微波封裝組件，其特征在于包括蓋板、盒體、高密度電路基板、彈性連接器、金屬支撐架、低頻連接器和射頻連接器，所述蓋板采用兩種膨脹系數(shù)不同的復(fù)合材料，所述蓋板由高膨脹系數(shù)復(fù)合材料封裝低膨脹系數(shù)復(fù)合材料而成；所述高密度電路基板設(shè)置在所述蓋板和所述盒體上；所述彈性連接器用于連接分別設(shè)置在所述蓋板和所述盒體上的高密度電路基板；所述金屬支撐架設(shè)置在所述盒體內(nèi)；所述低頻連接器設(shè)置在所述蓋板上；所述射頻連接器設(shè)置在所述蓋板和所述盒體上。利用不同膨脹系數(shù)復(fù)合材料封裝成蓋板，實(shí)現(xiàn)蓋板既能與盒體氣密封裝，又能作為高密度電路基板的可局部氣密機(jī)械支撐板，提高了三維瓦片微波封裝組件的氣密性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子封裝領(lǐng)域，尤其是一種三維瓦片式微波封裝組件。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的磚式相控陣天線結(jié)構(gòu)采用元器件放置方向垂直于相控陣天線陣面孔徑，微波組件電路采用縱向集成橫向組裝方式。磚式微波組件包含一行或一列多功能芯片、移相器、功分器以及其他一些元器件，磚式微波組件制造工藝簡(jiǎn)單，但是縱向尺寸較大，安裝空間比較大，不利于結(jié)構(gòu)共形。瓦片相控陣天線結(jié)構(gòu)采用元器件放置方向平行于相控陣天線陣面孔徑，面子陣電路采用橫向集成縱向組裝方式。瓦片微波組件縱向尺寸小，集成度和封裝效率比磚式結(jié)構(gòu)高、體積小、成本低。磚式微波組件采用二維平面集成技術(shù)，封裝蓋板只是用作氣密隔離，比較容易實(shí)現(xiàn)氣密封裝。瓦片微波采用三維立體結(jié)構(gòu)，封裝蓋板除了用作氣密隔離，還需要作為電路基板的機(jī)械支撐，比較難實(shí)現(xiàn)氣密封裝。

《米波瓦式相控陣天線TR組件》(趙青、黃健)介紹了把射頻輸入/輸出接口移到垂直于腔體方向，把功率芯片直接安裝在金屬盒體上散熱，并沒有闡述如何實(shí)現(xiàn)三維電氣互連和組件整體氣密封裝。《高密度集成有源相控陣天線體系架構(gòu)與設(shè)計(jì)方法》(何慶強(qiáng)、何海丹等)論文中介紹了一種瓦式有源相控陣天線體系架構(gòu)，介紹了電路和芯片設(shè)計(jì)方法，并沒有詳細(xì)介紹瓦片式微波組件內(nèi)部結(jié)構(gòu)和氣密封裝方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：針對(duì)上述存在的問題，提供一種采用不同膨脹系數(shù)復(fù)合材料封裝成蓋板，實(shí)現(xiàn)蓋板既能與盒體氣密封裝，又能作為高密度電路基板的可局部氣密機(jī)械支撐板的三維瓦片式微波封裝組件。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種三維瓦片式微波封裝組件，其特征在于包括蓋板、盒體、高密度電路基板、彈性連接器、金屬支撐架、低頻連接器和射頻連接器，所述蓋板采用兩種膨脹系數(shù)不同的復(fù)合材料，所述蓋板由高膨脹系數(shù)復(fù)合材料封裝低膨脹系數(shù)復(fù)合材料而成；所述高密度電路基板設(shè)置在所述蓋板和所述盒體上；所述彈性連接器用于連接分別設(shè)置在所述蓋板和所述盒體上的高密度電路基板；所述金屬支撐架設(shè)置在所述盒體內(nèi)；所述低頻連接器設(shè)置在所述蓋板上；所述射頻連接器設(shè)置在所述蓋板和所述盒體上。

進(jìn)一步地，所述蓋板復(fù)合材料膨脹系數(shù)之差

0＜CTE1-CTE2≤10

其中，CTE1為高膨脹系數(shù)復(fù)合材料的膨脹系數(shù)，CTE2為低膨脹系數(shù)復(fù)合材料的膨脹系數(shù)。

進(jìn)一步地，所述蓋板復(fù)合材料的長(zhǎng)度之差

3≤L-E≤5

其中，L為所述蓋板中高膨脹系數(shù)復(fù)合材料的長(zhǎng)度，E為所述蓋板中低膨脹系數(shù)復(fù)合材料的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步地，所述盒體與所述蓋板的高膨脹系數(shù)復(fù)合材料焊接。

進(jìn)一步地，所述高密度電路基板與所述蓋板的低膨脹系數(shù)復(fù)合材料固定連接。