[發明專利]一種三維瓦片式微波封裝組件有效
| 申請號: | 201710245561.1 | 申請日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN107017208B | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 季興橋;來晉明;李悅;王超杰;余雷;吳昌勇 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第二十九研究所 |
| 主分類號: | H01L23/06 | 分類號: | H01L23/06;H01L23/10;H01L23/48 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人: | 錢成岑 |
| 地址: | 610036 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三維 瓦片 式微 封裝 組件 | ||
1.一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于包括蓋板、盒體、高密度電路基板、彈性連接器、金屬支撐架、低頻連接器和射頻連接器,所述蓋板采用兩種膨脹系數不同的復合材料,所述蓋板由高膨脹系數復合材料封裝低膨脹系數復合材料而成;所述高密度電路基板設置在所述蓋板和所述盒體上;所述彈性連接器用于連接分別設置在所述蓋板和所述盒體上的高密度電路基板;所述金屬支撐架設置在所述盒體內;所述低頻連接器設置在所述蓋板上;所述射頻連接器設置在所述蓋板和所述盒體上。
2.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述蓋板復合材料膨脹系數之差
0<CTE1-CTE2≤10
其中,CTE1為高膨脹系數復合材料的膨脹系數,CTE2為低膨脹系數復合材料的膨脹系數。
3.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述蓋板復合材料的長度之差
3≤L-E≤5
其中,L為所述蓋板中高膨脹系數復合材料的長度,E為所述蓋板中低膨脹系數復合材料的長度,長度單位為毫米。
4.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述盒體與所述蓋板的高膨脹系數復合材料焊接。
5.根據權利要求4所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述焊接方式為多溫度梯度激光焊接。
6.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述高密度電路基板與所述蓋板的低膨脹系數復合材料固定連接。
7.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述低頻連接器與所述蓋板的低膨脹系數復合材料固定連接。
8.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,設置在所述蓋板上的所述射頻連接器與所述蓋板的低膨脹系數復合材料固定連接。
9.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述彈性連接器垂直于所述蓋板和所述盒體的底層面。
10.根據權利要求1所述的一種三維瓦片式微波封裝組件,其特征在于,所述金屬支撐架垂直于所述彈性連接器。
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