[發(fā)明專利]顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710245284.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108735775A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡銳欽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海隆天律師事務(wù)所 31282 | 代理人: | 鐘宗;夏彬 |
| 地址: | 201506 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示面板 像素電極層 柵電極層 制備 薄膜晶體管層 源/漏電極 顯示裝置 電極 基板 掩膜 薄膜晶體管 公共電極層 像素定義層 多個(gè)電容 生產(chǎn)過(guò)程 像素電極 制備過(guò)程 制造成本 制造工藝 有機(jī)層 電容 良率 背離 制造 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶體管層,位于所述基板的一側(cè),所述薄膜晶體管層包括有源層、柵電極層和源/漏電極層;
像素電極層,位于所述柵電極層和所述源/漏電極層之間或位于所述薄膜晶體管層背離所述基板的一側(cè),所述像素電極層包括多個(gè)像素電極和多個(gè)電容電極;
像素定義層,位于所述薄膜晶體管層和所述像素電極層背離所述基板的一側(cè),所述像素定義層包括多個(gè)與所述像素電極一一對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口中設(shè)置有一有機(jī)層,且所述有機(jī)層通過(guò)所述第一開(kāi)口與所述像素電極接觸;
公共電極層,位于所述像素定義層和所述有機(jī)層背離所述薄膜晶體管層的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素電極層位于所述柵電極層和所述源/漏電極層之間,所述柵極層還包括多個(gè)電容第一電極,所述像素電極層包括的電容電極為與所述電容第一電極一一對(duì)應(yīng)的電容第二電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管層包括:
有源層,位于所述基板的一側(cè);
柵電極層,位于所述有源層背離所述基板的一側(cè);
源/漏電極層,位于所述柵電極層背離所述有源層的一側(cè);
所述像素電極層位于所述柵電極層和所述源/漏電極層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
第一絕緣層,位于所述有源層與所述柵電極層之間;
第二絕緣層,位于所述柵電極層與所述像素電極層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
層間絕緣層,位于所述像素電極層與所述源/漏電極層之間,所述層間絕緣層包括多個(gè)與所述第一開(kāi)口一一對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口,且所述第一開(kāi)口在所述基板上的正投影與所述第二開(kāi)口在所述基板上的正投影交疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一開(kāi)口在所述基板上的正投影落入所述第二開(kāi)口在所述基板上的正投影的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述層間絕緣層還包括多個(gè)與所述像素電極一一對(duì)應(yīng)的第一接觸孔,所述源/漏電極層通過(guò)所述第一接觸孔連接至所對(duì)應(yīng)的像素電極。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的顯示面板。
9.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一基板;
在所述基板的一側(cè)形成一薄膜晶體管層和像素電極層,所述薄膜晶體管層包括有源層、柵電極層和源/漏電極層,所述像素電極層形成于所述柵電極層和所述源/漏電極層之間,或形成于所述薄膜晶體管層背離所述基板的一側(cè),且所述像素電極層包括多個(gè)像素電極和多個(gè)電容電極;
在所述薄膜晶體管層和所述像素電極層背離所述基板的一側(cè)形成一像素定義層,所述像素定義層包括多個(gè)與所述像素電極一一對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口;
在所述第一開(kāi)口中形成一有機(jī)層,且所述有機(jī)層通過(guò)所述第一開(kāi)口與所述像素電極接觸;
在所述像素定義層和所述有機(jī)層背離所述薄膜晶體管層的一側(cè)形成一公共電極層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





