[發明專利]顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法在審
| 申請號: | 201710245284.4 | 申請日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN108735775A | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 胡銳欽 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海隆天律師事務所 31282 | 代理人: | 鐘宗;夏彬 |
| 地址: | 201506 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 像素電極層 柵電極層 制備 薄膜晶體管層 源/漏電極 顯示裝置 電極 基板 掩膜 薄膜晶體管 公共電極層 像素定義層 多個電容 生產過程 像素電極 制備過程 制造成本 制造工藝 有機層 電容 良率 背離 制造 | ||
本發明提供了一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法,其中所述顯示面板包括:基板;薄膜晶體管層;像素電極層,位于所述薄膜晶體管中的柵電極層和源/漏電極層之間,或位于所述薄膜晶體管層背離所述基板的一側,所述像素電極層包括多個像素電極和多個電容電極;像素定義層;有機層和公共電極層。本發明的顯示面板通過將像素電極層設置于柵電極層和源/漏電極層之間,將電容兩個電極分別設置于柵電極層和像素電極層,從而簡化顯示面板的整體結構;在制備過程中無需增加額外的掩膜工序:通過六次掩膜工序即可制備得到需要的顯示面板,簡化了制造工藝,減少制造時間,降低制造成本,并大大提高了生產過程中的良率。
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別是一種減少掩膜工序而優化顯示面板制備工藝的顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法。
背景技術
近來,已經開發出與陰極射線管顯示器相比具有較小重量和體積的各種平板顯示器包括液晶顯示器、場發射顯示器、等離子體顯示面板和有機發光顯示器。
在平板顯示器中,有機發光顯示器使用通過電子和空穴的重組產生光的有機發光二極管(OLED)顯示圖像。有機發光顯示器具有較快的響應速度并且以較低的功耗驅動。一個典型的有機發光顯示器通過形成在像素中的晶體管向OLED提供根據數據信號的電流,從而OLED發射出光。
如圖1所示,為現有技術中一種OLED顯示面板的剖視圖。其中在圖1中Z方向上,從下至上依次包括:基板101、有源層102、第一絕緣層103、第一金屬層、第二絕緣層106、第二金屬層、層間絕緣層108、第三金屬層、鈍化層和平坦化層110、像素電極層111、像素定義層112和有機層和公共電極層113。其中第一金屬層中包括柵電極105和電容第一電極104,第二金屬層包括電容第二電極107,第三金屬層包括源/漏電極109。采用該種結構的OLED顯示面板,從圖中可以看出,層級較多,增加了整體結構的復雜性。圖中A標識的位置處即為OLED發光組件。
對于圖1中結構的顯示面板,制備方法如下:
第一道掩膜工序:首先在一基板101上沉積一半導體層,圖案化所述半導體層以形成所述有源層102;
第二道掩膜工序:在所述第一道掩膜工序的產物上沉積第一絕緣層103,在所述第一絕緣層103上沉積第一金屬層,圖案化所述第一金屬層以形成柵電極105和電容第一電極104;
第三道掩膜工序:在所述第二道掩膜工序的產物上沉積第二絕緣層106,在所述第二絕緣層106上沉積第二金屬層,圖案化所述第二金屬層以形成電容第二電極107;
第四道掩膜工序:在所述第二道掩膜工序的產物上沉積層間絕緣層108,并在沉積所述層間絕緣層108的產物上蝕刻接觸孔,層間絕緣層108一般采用SiOx、SiNx等無機絕緣膜層或它們的疊層構成;
第五道掩膜工序:在所述第三道掩膜工序的產物上沉積第三金屬層,圖案化所述第三金屬層以形成所述源/漏電極109;
第六道掩膜工序:在所述第四道掩膜工序的產物上沉積鈍化層,并涂覆平坦化層,并在涂覆平坦化層的產物上蝕刻接觸孔;
第七道掩膜工序:在所述第五道掩膜工序的產物上沉積像素電極層111;
第八道掩膜工序:在所述第六道掩膜工序的產物上涂覆像素定義層112,在所述像素定義層112上蝕刻開口,在蝕刻開口后的像素定義層112上形成有機層和公共電極層113。
由上可知,形成如圖1所示的顯示面板,至少需要七次掩膜工序。掩膜工序的次數越多,制造工藝越復雜,相應的制造時間和成本也就越高,生產良率可能越低,另外,在掩膜工序過程中制造光罩的成本也會隨之增加。
發明內容
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





