[發(fā)明專利]扇出型半導體封裝件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710244624.1 | 申請日： | 2017-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN107887361B | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金亨俊;李斗煥 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 馬翠平;劉奕晴 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 扇出型 半導體 封裝 | ||
1.一種扇出型半導體封裝件，包括：
第一連接構(gòu)件，具有通孔；
半導體芯片，設置在所述通孔中，并且具有有效表面和與所述有效表面背對的無效表面，所述有效表面上設置有連接焊盤；
包封劑，包封所述半導體芯片的無效表面和所述第一連接構(gòu)件的至少部分，并且包含絕緣樹脂、芯和填料；
第二連接構(gòu)件，設置在所述第一連接構(gòu)件和所述半導體芯片的有效表面上；
開口，貫穿所述包封劑；
外部連接端子，填充所述開口的至少一部分，
其中，所述第一連接構(gòu)件和所述第二連接構(gòu)件分別包括電連接到所述半導體芯片的連接焊盤的重新分布層，所述第一連接構(gòu)件的重新分布層包括焊盤，所述焊盤的至少一部分通過所述開口暴露，以連接到所述外部連接端子，所述開口的壁表面的表面粗糙度比所述焊盤的所暴露的表面的表面粗糙度大，
其中，貫穿所述包封劑的所述開口的壁表面包括多個第四空洞，所述多個第四空洞的至少一部分填充有所述外部連接端子的一部分，并且所述多個第四空洞中的至少一部分為形成在所述芯中的凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述芯包含玻璃纖維，所述填料包含無機填料。
3.如權(quán)利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述多個第四空洞中的另一部分為形成在絕緣樹脂中的凹槽。
4.如權(quán)利要求1所述的扇出型半導體封裝件，所述扇出型半導體封裝件還包括：
樹脂層，設置在所述包封劑上，
其中，所述開口貫穿所述樹脂層，貫穿所述樹脂層的所述開口的壁表面包括多個第五空洞，所述多個第五空洞的至少一部分填充有所述外部連接端子的一部分。
5.如權(quán)利要求4所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述樹脂層包含絕緣樹脂和填料，所述多個第五空洞中的至少一部分為形成在所述樹脂層中的凹槽。
6.如權(quán)利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一連接構(gòu)件包括：第一絕緣層；第一重新分布層，接觸所述第二連接構(gòu)件并且嵌在所述第一絕緣層中；第二重新分布層，與嵌在所述第一絕緣層中的所述第一重新分布層背對，所述第一重新分布層和所述第二重新分布層電連接到所述連接焊盤。
7.如權(quán)利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一連接構(gòu)件還包括：第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層上，以覆蓋所述第二重新分布層；第三重新分布層，設置在所述第二絕緣層上，所述第三重新分布層電連接到所述連接焊盤。
8.如權(quán)利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一連接構(gòu)件包括：第一絕緣層；第一重新分布層和第二重新分布層，設置在所述第一絕緣層的背對的表面上；第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層上，以覆蓋所述第一重新分布層；第三重新分布層，設置在所述第二絕緣層上，所述第一重新分布層、所述第二重新分布層和所述第三重新分布層電連接到所述連接焊盤。
9.如權(quán)利要求8所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一連接構(gòu)件還包括：第三絕緣層，設置在所述第一絕緣層上，以覆蓋所述第二重新分布層；第四重新分布層，設置在所述第三絕緣層上，所述第四重新分布層電連接到所述連接焊盤。
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