[發明專利]微機電系統(MEMS)封裝件及其制造方法在審
| 申請號: | 201710242800.8 | 申請日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN107381496A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 張智杭;王乙翕;劉人豪 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/02 | 分類號: | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微機 系統 mems 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明的實施例涉及微機電系統(MEMS)封裝件及其制造方法。
背景技術
諸如加速計、壓力傳感器和陀螺儀的微機電系統(MEMS)器件已經發現被廣泛地用于許多現代電子器件。例如,MEMS加速計常見用于汽車(例如,安全氣囊系統中)、平板電腦或智能手機中。對于許多應用,MEMS器件電連接至專用集成電路(ASIC)以形成完整的MEMS系統。
發明內容
本發明的實施例提供了一種微機電系統(MEMS)封裝件,包括:器件襯底,布置在支撐器件上方,其中,所述器件襯底包括具有粗糙的下表面的可移動元件并且所述可移動元件布置在腔體內;介電層,布置在所述支撐器件和所述器件襯底之間,其中,所述介電層橫向圍繞所述腔體;以及抗粘滯層,襯里所述可移動元件的下表面。
本發明的另一實施例提供了一種用于制造微機電系統(MEMS)封裝件的方法,所述方法包括:在器件襯底的表面上形成熱氧化物層,其中,形成所述熱氧化物層使所述器件襯底的表面變得粗糙;對所述熱氧化物層實施蝕刻以形成開口,所述開口部分地暴露所述器件襯底的表面;形成抗粘滯層,所述抗粘滯層襯里所述器件襯底的部分暴露的表面;以及通過所述熱氧化物層將所述器件襯底接合至支撐器件以密閉位于所述支撐器件上方的腔體。
本發明的又一實施例提供了一種微機電系統(MEMS)封裝件,包括:覆蓋器件,布置在支撐器件上方;器件襯底,布置在所述支撐器件和所述覆蓋器件之間,其中,所述器件襯底包括布置在位于所述支撐器件和所述覆蓋器件之間的腔體內的可移動元件,并且其中,所述可移動元件的下表面是粗糙的;介電層,布置在所述支撐器件和所述器件襯底之間,其中,所述介電層橫向圍繞所述腔體;以及抗粘滯層,襯里所述可移動元件的下表面。
附圖說明
當結合附圖進行閱讀時,從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該注意,根據工業中的標準實踐,各個部件未按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。
圖1A示出用于高質量抗粘滯的具有粗糙度的微機電系統(MEMS)封裝件的一些實施例的截面圖。
圖1B示出在圖1A的MEMS封裝件中的可移動元件的一些實施例的放大的截面圖。
圖2A示出圖1A的MEMS封裝件的一些更詳細的實施例的截面圖。
圖2B示出圖1A的MEMS封裝件的其它更詳細的實施例的截面圖。
圖3至圖10示出制造用于高質量抗粘滯的具有粗糙度的MEMS封裝件的方法的一些實施例的一系列截面圖。
圖11示出制造用于高質量抗粘滯的具有粗糙度的MEMS封裝件的方法的一些實施例的流程圖。
具體實施方式
以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然,這些僅僅是實例,而不旨在限制本發明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件,從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外,本發明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。
而且,為了便于描述,在此可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對術語以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外,空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上),并且在此使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應的解釋。
諸如加速計、陀螺儀和壓力傳感器的一些微機電系統(MEMS)器件包括可移動元件和布置在腔體內的相鄰的感測電極。可移動元件配置為與諸如加速度、壓力或重力的外部刺激成正比移動。感測電極配置為使用與可移動元件耦接的電容來感測移動的范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710242800.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





