[發(fā)明專利]半導(dǎo)體襯底的原位背面清洗

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710233807.3
• 申請(qǐng)日: 2012-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN107068594B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉明熙;莊國(guó)勝;張簡(jiǎn)瑛雪;楊棋銘;林進(jìn)祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明提供了一種清洗半導(dǎo)體晶圓的方法和裝置。在該方法的實(shí)施例中，提供了單晶圓清洗裝置并且將晶圓設(shè)置在該裝置中。將第一化學(xué)噴劑分布到晶圓的正面上。在分布第一化學(xué)噴劑的同時(shí)清洗晶圓的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液噴劑。還描述了一種用于清洗單個(gè)半導(dǎo)體晶圓的正面和背面的裝置。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體襯底的原位背面清洗。

本申請(qǐng)是于2012年08月28日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?01210311742.7的名稱為“半導(dǎo)體襯底的原位背面清洗”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及的是半導(dǎo)體器件制造，更具體地涉及的是在制造過程中清洗半導(dǎo)體晶圓的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件制造發(fā)展的最新趨勢(shì)包括引入額外的單晶圓清洗工藝。由于該單晶圓清洗工藝可以提供改進(jìn)的清洗效率和工藝穩(wěn)定性，因此替代了濕式工作臺(tái)(wet-bench)類清洗方式。

然而，單晶圓清洗工具的問題在于無法清洗晶圓的背面。因此，通常需要額外的處理步驟來清洗半導(dǎo)體晶圓的背面。這就產(chǎn)生了與工具、廠房、周期時(shí)間等相關(guān)的額外費(fèi)用。因此，需要一種能夠改進(jìn)這些問題中的一個(gè)或多個(gè)的單晶圓清洗制造工藝。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種裝置，包括：晶圓定位器件，用于將半導(dǎo)體晶圓保持在第一位置中；第一晶圓清洗器件，設(shè)置所述第一位置的第一側(cè)上，其中，所述第一晶圓清洗器件包括用于分布化學(xué)噴劑的第一噴嘴；以及第二晶圓清洗器件，設(shè)置所述第一位置的第二側(cè)上，所述第二側(cè)是所述第一位置的所述第一側(cè)的相對(duì)側(cè)，其中，所述第二晶圓清洗器件包括刷子。

在該裝置中，所述第二晶圓清洗器件還包括：用于分布化學(xué)噴劑的第二噴嘴。

在該裝置中，所述第二晶圓清洗器件還包括：用于分布化學(xué)噴劑的第三噴嘴。

在該裝置中，所述刷子包含聚合物。

在該裝置中，所述刷子包含聚乙烯醇(PVA)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括：提供單晶圓清洗裝置；將晶圓設(shè)置在所述單晶圓清洗裝置中；將第一化學(xué)噴劑分布在所述晶圓的正面上；以及在分布所述第一化學(xué)噴劑的同時(shí)，清洗所述晶圓的背面。

在該方法中，清洗所述背面包括：分布第二化學(xué)噴劑。

在該方法中，所述第一化學(xué)噴劑和所述第二化學(xué)噴劑具有不同的成分。

在該方法中，清洗所述晶圓的背面包括：將所述晶圓的背面與刷子相接觸。

在該方法中，在所述清洗過程中將所述刷子從所述晶圓的中心位置移動(dòng)到所述晶圓的邊緣位置。

在該方法中，清洗所述晶圓的背面包括：將所述晶圓的背面與刷子和第二化學(xué)噴劑相接觸。

在該方法中，在所述清洗過程中將所述刷子從所述晶圓的中心位置移動(dòng)到所述晶圓的邊緣位置。

在該方法中，清洗所述背面包括：對(duì)來自第一噴嘴的第二化學(xué)噴劑和來自第二噴嘴的第三化學(xué)噴劑進(jìn)行分布。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，包括：將所述半導(dǎo)體晶圓設(shè)置在晶圓定位器件中；將刷條設(shè)置在鄰近所述晶圓定位器件中的所述半導(dǎo)體晶圓的背面的位置上；在將所述半導(dǎo)體晶圓設(shè)置在所述晶圓定位器件中的同時(shí)，將第一噴劑分布在所述半導(dǎo)體晶圓的正面上；以及在將所述半導(dǎo)體晶圓設(shè)置在所述晶圓定位器件中的同時(shí)，使用刷條清洗所述半導(dǎo)體晶圓的所述背面。

在該方法中，所述刷條包括多個(gè)噴嘴，并且清洗所述半導(dǎo)體晶圓的背面包括：對(duì)來自所述多個(gè)噴嘴中的每個(gè)噴嘴的噴劑進(jìn)行分布。