[發(fā)明專利]半導(dǎo)體襯底的原位背面清洗

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710233807.3
• 申請(qǐng)日: 2012-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107068594B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉明熙;莊國(guó)勝;張簡(jiǎn)瑛雪;楊棋銘;林進(jìn)祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，包括：

通過(guò)晶圓定位器件對(duì)晶圓進(jìn)行定位；

將第一化學(xué)品和原子化流體通過(guò)第一噴嘴分布在所述晶圓的正面上，以對(duì)所述正面進(jìn)行清洗；以及

在分布所述第一化學(xué)品和原子化流體的同時(shí)，根據(jù)所述第一化學(xué)品和原子化流體的類型和溫度，控制設(shè)置在第一刷條上的第二噴嘴向所述晶圓的背面噴出與所述類型和溫度保持不同的第二化學(xué)品以清洗所述背面，其中，清洗所述背面還包括控制設(shè)置在第二刷條上的第三噴嘴向所述晶圓的背面噴出與所述第二化學(xué)品不同的第三化學(xué)品以清洗所述背面，

其中，所述第一刷條和所述第二刷條沿著相反的方向移動(dòng)，使得所述第一刷條通過(guò)所述第二化學(xué)品清洗所述晶圓的背面的第一部分，所述第二刷條通過(guò)所述第三化學(xué)品清洗所述晶圓的背面的第二部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，所述第二化學(xué)品和/或所述晶圓的溫度在23攝氏度和80攝氏度之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，所述第二化學(xué)品的類型包括，APM、去離子水、SC1、稀釋的NH₄OH、SC2、臭氧去離子水、SPM、SOM、SPOM、H₃PO₄、稀釋的氫氟酸、HF、HF/EG、HF/HNO₃、NH₄OH。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，所述晶圓定位器件用于控制所述晶圓的固定、旋轉(zhuǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，所述晶圓定位器件、所述第一噴嘴和所述第二噴嘴包括在單晶圓清洗裝置中，所述單晶圓清洗裝置還包括超聲波功能，用于清洗所述晶圓的正面和/或背面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，所述原子化流體包括原子化的壓力流體，所述原子化流體為原子化的氮流體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，多個(gè)間隔開(kāi)的所述第二噴嘴設(shè)置在基座上，以與所述基座一起形成不帶刷子的所述第一刷條。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，其中，所述第二噴嘴和多個(gè)刷毛設(shè)置在基座上，以與所述基座一起形成帶刷子的所述第一刷條。

9.一種單晶圓清洗裝置，包括：

晶圓定位器件，用于將半導(dǎo)體晶圓保持在第一位置中；

第一晶圓清洗器件，設(shè)置所述第一位置的第一側(cè)上，其中，所述第一晶圓清洗器件包括用于分布第一化學(xué)品和原子化流體的第一噴嘴；以及

第二晶圓清洗器件，設(shè)置所述第一位置的第二側(cè)上，所述第二側(cè)是所述第一位置的所述第一側(cè)的相對(duì)側(cè)，其中，所述第二晶圓清洗器件包括利用設(shè)置在第一刷條上的第二噴嘴，所述第二噴嘴被控制為在分布所述第一化學(xué)品和原子化流體的同時(shí)，根據(jù)所述第一化學(xué)品和原子化流體的類型和溫度，向所述半導(dǎo)體晶圓的背面噴出與所述類型和溫度保持不同的第二化學(xué)品以清洗所述背面，其中，清洗所述背面還包括控制設(shè)置在第二刷條上的第三噴嘴向所述半導(dǎo)體晶圓的背面噴出與所述第二化學(xué)品不同的第三化學(xué)品以清洗所述背面，

其中，所述第一刷條和所述第二刷條沿著相反的方向移動(dòng)，使得所述第一刷條通過(guò)所述第二化學(xué)品清洗所述半導(dǎo)體晶圓的背面的第一部分，所述第二刷條通過(guò)所述第三化學(xué)品清洗所述半導(dǎo)體晶圓的背面的第二部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單晶圓清洗裝置，其中，所述第二化學(xué)品和/或所述半導(dǎo)體晶圓的溫度在23攝氏度和80攝氏度之間。