[發明專利]一種五面發光的量子點CSP背光源及其制備方法在審
| 申請號: | 201710233705.1 | 申請日: | 2017-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN106935693A | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 崔杰;孫海桂;陳龍 | 申請(專利權)人: | 安徽芯瑞達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡劍輝 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市經*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光 量子 csp 背光源 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及到背光技術領域,特別是一種五面發光的量子點CSP背光源及其制備方法。
背景技術
現有的五面發光CSP,五面都有出光,出光角度大。且光源均勻性遠優于傳統頂部發光的LED燈珠,能夠在TV背光模組結構設計方面更靈活。CSP優秀的散熱,可以使用大電流驅動減少光源數量,滿足相同亮度需求。CSP背光源在TV背光領域中潛力無限,搭配合適的透鏡,制成光學效果更優秀的背光源。
量子點(Quantum Dot),又叫納米晶,是由II-VI族或III-V族元素組成的納米顆粒,粒徑1~10nm。量子點的量子限域效應明顯,將半導體中載流子限定在微小的三維空間內。受到光電刺激時,載流子會被激發跳躍到更高的能級,這些載流子回到原來較低能級時,會發出固定波長的光。量子點熒光粉具有較寬的吸收譜和較窄的激發譜,具有比傳統熒光粉,更優秀的光電性能,NTSC高達140%。通過改變量子點顆粒尺寸和化學組成,可以使發射光譜覆蓋整個可見光區域。壽命方面,量子點熒光粉是傳統熒光粉壽命的3~5倍,且具有很好的光穩定性。
目前,CSP主要用于大功率LED背光源上,現有CSP五面膠水中的熒光粉激發效率低,為得到高色域LED燈珠,需要提高熒光粉濃度,增加封裝成本,降低亮度、提升不良率;
而現有的量子點LED高色域背光方式主要有:(1)采用量子點粉制成的光學膜,填充在導光板或者液晶屏內,通過藍光或UV背光燈珠激發,得到高色域白光;(2)將制成含有量子點熒光粉的玻璃管,至于屏幕側面,通過藍光或UV背光燈珠激發,得到高色域白光。但上述2種方法,工藝復雜、熒光粉利用率低、成本高、良品率低、難實現大規模產業化;
目前量子點粉的關鍵難題是,量子點粉溫度穩定性較差,100℃已經出現衰減嚴重現象。
發明內容
為了解決上述問題,本發明提供了一種五面發光的量子點CSP背光源,包括發光的倒裝芯片,其還包括包圍在該發光倒裝芯片四周及頂部的量子點熒光膠體;所述量子點熒光膠體為溶有量子點熒光粉的封裝膠水固化形成的,所述倒裝芯片通過四周及頂部的量子點熒光膠體發光。
較佳地,所述倒裝芯片為摻雜In的GaN藍光芯片,具有發出藍光的能力;量子點熒光粉具有吸收藍光,并激發更長波長的光;芯片的藍光和量子點熒光粉激發出的光混合成白光。
較佳地,所述量子點熒光粉為BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一種。
較佳地,所述量子點熒光膠體還溶有YAG粉、硅酸鹽、氮化物熒光粉、KSF熒光粉或β-SiAlON。
本發明還提供了一種五面光的量子點CSP背光源的制備方法,其包括以下步驟:
S1:將倒裝芯片放于載板上;
S2:配制量子點熒光膠。將量子點紅粉和綠粉溶于甲苯,再倒入封裝膠水中,充分混合后,去除甲苯,得到量子點熒光膠;
S3:在倒裝芯片上方涂敷熒光膠體;
S4:將涂敷熒光膠體的倒裝芯片放入模具中;
S5:通過熱壓成型設備,將量子點熒光膠體與倒裝芯片真空壓合成型,使量子點熒光膠體固化;
S6:模具剝離膠體,形成量子點CSP背光源;
S7:將量子點CSP背光源與載板分離。
本發明具有以下有益效果:
工作溫度低,減少量子粉因溫度衰減。在同樣電流驅動時,CSP采用大功率倒裝芯片比傳統燈珠產生的熱更低;
高色域光學效果好。量子點CSP背光源具有五面發光,且光源均勻性優于傳統單面出光的LED燈珠;
良品率高。量子點CSP封裝工藝減少了固晶、打線環節,因為固晶、打線次數,造成的異常率較高;
產能提升。量子點CSP背光源制作過程中,避免芯片固晶、焊線抓取次數,縮短制程時間,提升產能。
附圖說明
圖1為本發明提供的五面發光的量子點CSP背光源剖視圖;
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