[發明專利]一種五面發光的量子點CSP背光源及其制備方法在審
| 申請號: | 201710233705.1 | 申請日: | 2017-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN106935693A | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 崔杰;孫海桂;陳龍 | 申請(專利權)人: | 安徽芯瑞達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡劍輝 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市經*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光 量子 csp 背光源 及其 制備 方法 | ||
1.一種五面發光的量子點CSP背光源,包括發光的倒裝芯片,其特征在于,還包括包圍在該發光倒裝芯片四周及頂部的量子點熒光膠體;所述量子點熒光膠體為溶有量子點熒光粉的封裝膠水固化形成的,所述倒裝芯片通過四周及頂部的量子點熒光膠體發光。
2.如權利要求1所述的五面發光的量子點CSP背光源,其特征在于,所述倒裝芯片為摻雜In的GaN藍光芯片,具有發出藍光的能力;量子點熒光粉具有吸收藍光,并激發更長波長的光;芯片的藍光和量子點熒光粉激發出的光混合成白光。
3.如權利要求1所述的五面發光的量子點CSP背光源,其特征在于,所述量子點熒光粉為BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一種。
4.如權利要求1所述的五面發光的量子點CSP背光源,其特征在于,所述量子點熒光膠體還溶有YAG粉、硅酸鹽、氮化物熒光粉、KSF熒光粉或β-SiAlON。
5.如權利要求1-4所述的五面發光的量子點CSP背光源的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:將倒裝芯片放于載板上;
S2:配制量子點熒光膠。將量子點紅粉和綠粉溶于甲苯,再倒入封裝膠水中,充分混合后,去除甲苯,得到量子點熒光膠;
S3:在倒裝芯片上方涂敷熒光膠體;
S4:將涂敷熒光膠體的倒裝芯片放入模具中;
S5:通過熱壓成型設備,將量子點熒光膠體與倒裝芯片真空壓合成型,使量子點熒光膠體固化;
S6:模具剝離膠體,形成量子點CSP背光源;
S7:將量子點CSP背光源與載板分離。
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