[發明專利]晶片托架的調平機構、晶片升降機構及反應腔室在審
| 申請號： | 201710229439.5 | 申請日： | 2017-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN108695228A | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發明（設計）人： | 史全宇 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 支撐定位件 調平螺釘 調平機構 晶片托架 反應腔室 球狀凹部 球狀凸部 升降機構 升降軸 調平 晶片 對稱分布 工藝效率 螺紋連接 上端面 可調 片托 種晶 貫穿 配合 | ||
1.一種晶片托架的調平機構，用于將所述晶片托架固定在升降軸的上端，并能夠調節所述晶片托架的晶片承載面的水平度，其特征在于，包括至少三個調平螺釘和支撐定位件，其中，
所述至少三個調平螺釘以所述支撐定位件為中心對稱分布，每個所述調平螺釘貫穿所述晶片托架，并與所述升降軸螺紋連接；
所述支撐定位件與所述晶片托架固定連接，并且在所述升降軸的上端面形成有球狀凹部；所述支撐定位件包括球狀凸部，所述球狀凹部與所述球狀凸部相配合。
2.根據權利要求1所述的晶片托架的調平機構，其特征在于，所述球狀凹部在豎直方向上的最大深度小于所述球狀凸部在豎直方向上的最大長度。
3.根據權利要求1所述的晶片托架的調平機構，其特征在于，所述球狀凸部為半球體。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的晶片托架的調平機構，其特征在于，所述支撐定位件還包括柱狀連接部，所述柱狀連接部與所述所述晶片托架固定連接；
所述球狀凸部設置在所述柱狀連接部的下端，且相對于所述晶片托架的下表面凸出。
5.根據權利要求4所述的晶片托架的調平機構，其特征在于，在所述柱狀連接部的外周壁形成有外螺紋；在所述晶片托架上形成有螺紋孔，所述柱狀連接部通過所述外螺紋與所述螺紋孔相配合。
6.根據權利要求1所述的晶片托架的調平機構，其特征在于，所述支撐定位件位于所述升降軸的中心。
7.一種晶片升降機構，包括晶片托架、升降軸和驅動源，所述升降軸豎直設置，且所述升降軸的下端與所述驅動源連接，所述升降軸的上端通過調平機構與所述晶片托架連接，其特征在于，所述調平機構采用權利要求1-6任意一項所述的調平機構。
8.根據權利要求7所述的晶片升降機構，其特征在于，所述晶片托架包括環形支架，在所述環形支架上設置有沿其周向對稱分布的多個支撐柱，用以承載晶片。
9.根據權利要求7所述的晶片升降機構，其特征在于，所述驅動源包括升降氣缸或者升降電機。
10.一種反應腔室，其特征在于，包括權利要求7-9任意一項所述的晶片升降機構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
