[發(fā)明專利]用于非平面半導(dǎo)體器件架構(gòu)的精密電阻器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710228504.2 | 申請日： | 2013-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN107256858B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J-Y·D·葉;P·J·范德沃爾;W·M·哈菲茲;C-H·簡;C·蔡;J·樸 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L21/8234;H01L27/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 陳松濤;王英 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 平面 半導(dǎo)體器件 架構(gòu) 精密 電阻器 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一鰭狀物，包括硅；
第二鰭狀物，包括硅；
在所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物之間具有區(qū)域的淺溝槽隔離(STI)材料，其中所述淺溝槽隔離材料包括硅和氧，并且所述淺溝槽隔離材料的所述區(qū)域的頂部表面的高度低于所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物的高度；
在所述淺溝槽隔離材料的所述區(qū)域的頂部表面之上的電阻器，其中所述電阻器包括多晶硅；
耦合到所述電阻器的頂部表面處的位置的導(dǎo)電接觸部，其中所述電阻器至少部分地位于所述導(dǎo)電接觸部和所述淺溝槽隔離材料之間，并且所述導(dǎo)電接觸部包括鎢；
至少部分地位于所述第一鰭狀物之上的第一金屬區(qū)域，其中所述第一金屬區(qū)域向下延伸接近所述第一鰭狀物的側(cè)表面，并且所述第一金屬區(qū)域包括過渡金屬；
至少部分地位于所述第一鰭狀物和所述第一金屬區(qū)域之間的第一電介質(zhì)區(qū)域，其中所述第一電介質(zhì)區(qū)域包括鉿；
至少部分地位于所述第二鰭狀物之上的第二金屬區(qū)域，其中所述第二金屬區(qū)域向下延伸接近所述第二鰭狀物的側(cè)表面，并且所述第二金屬區(qū)域包括過渡金屬；以及
至少部分地位于所述第二鰭狀物和所述第二金屬區(qū)域之間的第二電介質(zhì)區(qū)域，其中所述第二電介質(zhì)區(qū)域包括鉿；
其中所述電阻器的所述頂部表面處的所述位置具有第一高度，所述第一金屬區(qū)域的頂部表面具有第二高度，所述第二金屬區(qū)域的頂部表面具有第三高度，所述第一高度小于所述第二高度，并且所述第一高度小于所述第三高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一金屬區(qū)域包括金屬氮化物，并且所述第二金屬區(qū)域包括金屬氮化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，所述第一金屬區(qū)域的所述金屬氮化物是過渡金屬氮化物，并且所述第二金屬區(qū)域的所述金屬氮化物是過渡金屬氮化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一金屬區(qū)域包括金屬鋁化物，并且所述第二金屬區(qū)域包括金屬鋁化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一電介質(zhì)區(qū)域包括氧化鉿，并且所述第二電介質(zhì)區(qū)域包括氧化鉿。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述第一電介質(zhì)區(qū)域包括所述氧化鉿和所述第一鰭狀物之間的氧化硅，并且所述第二電介質(zhì)區(qū)域包括所述氧化鉿和所述第二鰭狀物之間的氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的器件，其中，所述電阻器包括硼。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的器件，其中所述導(dǎo)電接觸部包括所述鎢和所述電阻器之間的硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的器件，進(jìn)一步包括：
所述電阻器之上的電介質(zhì)材料，其中所述電介質(zhì)材料具有與所述第一金屬區(qū)域的所述頂部表面共面并且與所述第二金屬區(qū)域的所述頂部表面共面的頂部表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述電介質(zhì)材料包括氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述導(dǎo)電接觸部延伸通過所述電介質(zhì)材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的器件，其中所述多晶硅具有20納米的晶粒大小。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的器件，進(jìn)一步包括：
包括硅的襯底，其中所述淺溝槽隔離材料至少部分位于所述襯底和所述電阻器之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的器件，其中所述第一金屬區(qū)域、所述第一電介質(zhì)區(qū)域以及所述第一鰭狀物的一部分是第一晶體管的部分，并且其中所述第二金屬區(qū)域、所述第二電介質(zhì)區(qū)域以及所述第二鰭狀物的一部分是第二晶體管的部分。
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