[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710228370.4
• 申請日: 2017-04-10
• 公開（公告）號: CN108695375A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李勇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心區(qū)、以及用于形成周邊器件的周邊區(qū)；

通過沉積工藝，在所述基底上形成柵氧化層；

在所述柵氧化層上形成偽柵電極層；

在所述偽柵電極層露出的基底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層露出所述偽柵電極層頂部；

去除所述偽柵電極層；

去除所述偽柵電極層后，去除所述核心區(qū)的柵氧化層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝的步驟包括：采用原子層沉積法或高溫氧化物沉積法，在所述基底上形成第一氧化層；

采用熱氧化法，在所述第一氧化層和所述基底之間形成第二氧化層；

采用原子層沉積法或高溫氧化物沉積法，在所述第一氧化層上形成第三氧化層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為至所述第二氧化層的厚度為至所述第三氧化層的厚度為至

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積法在所述基底上形成第一氧化層，所述第一氧化層的材料為氧化硅；

形成所述第一氧化層的步驟中，所述原子層沉積法的參數(shù)包括：反應(yīng)前驅(qū)體為含硅的前驅(qū)體，工藝溫度為80攝氏度至300攝氏度，壓強為0.1托至20托，沉積次數(shù)為1次至2次。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述熱氧化法的工藝為原位蒸汽生成氧化工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二氧化層的材料為氧化硅，所述原位蒸汽生成氧化工藝的參數(shù)包括：反應(yīng)氣體為O₂和H₂，O₂流量為1sccm至30sccm，H₂流量為1.5sccm至15sccm，工藝溫度為700攝氏度至1200攝氏度。

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積法在所述第一氧化層上形成第三氧化層，所述第三氧化層的材料為氧化硅；

形成所述第三氧化層的步驟中，所述原子層沉積法的參數(shù)包括：反應(yīng)前驅(qū)體為含硅的前驅(qū)體，工藝溫度為80攝氏度至300攝氏度，壓強為0.1托至20托，沉積次數(shù)為1次至3次。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵氧化層的材料為氧化硅。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成柵氧化層后，在所述柵氧化層上形成偽柵電極層之前，所述形成方法還包括：對所述基底進行退火處理。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述退火處理的參數(shù)包括：退火溫度為950攝氏度至1100攝氏度，退火時間為0.1秒至10秒，反應(yīng)氣體為N₂或O₂。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，提供基底的步驟中，所述基底包括襯底以及位于所述襯底上分立的鰭部；

在所述基底上形成柵氧化層的步驟中，所述柵氧化層橫跨所述鰭部，且覆蓋所述鰭部的側(cè)壁表面和頂部表面。

12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心區(qū)、以及用于形成周邊器件的周邊區(qū)；

層間介質(zhì)層，位于所述基底上，所述層間介質(zhì)層內(nèi)具有露出所述基底的開口；

柵氧化層，位于所述開口露出的周邊區(qū)基底上，所述柵氧化層通過沉積工藝形成。