[發(fā)明專利]陣列基板及該陣列基板的制作方法

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• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN106842728A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳興武;陳黎暄
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種陣列基板及該陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，液晶顯示技術(shù)已經(jīng)成為了目前應用最廣泛的顯示技術(shù)。此外，人們對顯示技術(shù)的要求越來越高，例如對大視角、高穿透率和高信賴性等提出了更高的要求。

目前，常用的液晶顯示器有TN(TwistNematic，扭轉(zhuǎn)向列型)模式、VA(Vertical Alignment，垂直對齊)模式，IPS(In-plane switching，平面方向轉(zhuǎn)換)模式和FFS(Fringe Field Switching，邊緣場開關(guān))模式等。其中，F(xiàn)FS模式因具有廣視角、高穿透率且為硬屏技術(shù)而備受關(guān)注。然而，F(xiàn)FS模式仍然有一些不足，其中最重要的是IS(image sticking，影像殘留)現(xiàn)象，即長時間顯示同一畫面后切換到下一畫面時依舊可見前一畫面殘影的現(xiàn)象。

IS現(xiàn)象產(chǎn)生的根源有很多，其中最主要的原因是由于長時間驅(qū)動導致的離子聚集無法及時釋放和寄生電容過大而導致公共電壓(Vcom)的對稱性變差。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠使聚集的離子快速的釋放且降低寄生電容的陣列基板及其制作方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種陣列基板，其包括：基板；薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板之上；像素電極，設(shè)置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；公共電極，設(shè)置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個第一通孔。

可選地，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述薄膜晶體管之上和所述像素電極之下，在所述像素電極之下的所述鈍化層具有多個凸起，所述像素電極中具有多個第二通孔，所述凸起穿過對應的所述第二通孔。

可選地，所述公共電極設(shè)置于所述凸起之上，所述第一通孔對應于相鄰的兩個凸起之間。

可選地，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置在所述基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述柵極上；有源層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設(shè)置在所述有源層上；源極和漏極，分別設(shè)置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；其中，所述像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上，在所述基板上的鈍化層位于所述像素電極和在所述基板上的所述柵極絕緣層之間。

可選地，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述薄膜晶體管和所述像素電極之上，在所述像素電極之上的所述鈍化層具有多個凸起，所述公共電極設(shè)置于所述凸起之上，所述第一通孔對應于相鄰的兩個凸起之間。

可選地，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置在所述基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述柵極上；有源層，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設(shè)置在所述有源層上；源極和漏極，分別設(shè)置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；其中，在所述基板上的像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種陣列基板的制作方法，其包括：提供一基板；在所述基板上制作形成薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管和所述基板上制作形成第一鈍化層；在所述第一鈍化層中制作形成將所述薄膜晶體管的漏極暴露的過孔；在所述基板上的第一鈍化層上制作形成具有多個第一通孔的像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極接觸；在所述第一鈍化層和所述像素電極上制作形成第二鈍化層，所述第二鈍化層填充所述第一通孔；在所述像素電極上的第二鈍化層上制作形成具有多個第二通孔的公共電極，所述第一通孔和所述第二通孔交錯設(shè)置；將所述薄膜晶體管之上的第二鈍化層和由所述第二通孔暴露出的第二鈍化層刻蝕去除。

可選地，在所述基板上制作形成薄膜晶體管的方法包括：在所述基板上制作形成柵極；在所述基板和所述柵極上制作形成所述柵極絕緣層；其中，在所述基板上的第一鈍化層位于在所述基板上的柵極絕緣層上；在所述柵極上的柵極絕緣層上制作形成有源層；在所述有源層上制作形成彼此間隔的第一N型導電層和第二N型導電層；在所述第一N型導電層和所述第二N型導電層上分別制作形成源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上。