[發明專利]陣列基板及該陣列基板的制作方法

在審

• 申請號: 201710227135.5
• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN106842728A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 陳興武;陳黎暄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶體管，設置于所述基板之上；

像素電極，設置于所述基板之上且與所述薄膜晶體管的漏極接觸；

公共電極，設置于所述像素電極之上且與所述像素電極電絕緣，所述公共電極中具有多個第一通孔。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設置于所述薄膜晶體管之上和所述像素電極之下，在所述像素電極之下的所述鈍化層具有多個凸起，所述像素電極中具有多個第二通孔，所述凸起穿過對應的所述第二通孔。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極設置于所述凸起之上，所述第一通孔對應于相鄰的兩個凸起之間。

4.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵極，設置在所述基板上；

柵極絕緣層，設置在所述基板和所述柵極上；

有源層，設置在所述柵極絕緣層上；

第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設置在所述有源層上；

源極和漏極，分別設置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；

其中，所述像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上，在所述基板上的鈍化層位于所述像素電極和在所述基板上的所述柵極絕緣層之間。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設置于所述薄膜晶體管和所述像素電極之上，在所述像素電極之上的所述鈍化層具有多個凸起，所述公共電極設置于所述凸起之上，所述第一通孔對應于相鄰的兩個凸起之間。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵極，設置在所述基板上；

柵極絕緣層，設置在所述基板和所述柵極上；

有源層，設置在所述柵極絕緣層上；

第一N型導電層和第二N型導電層，彼此間隔設置在所述有源層上；

源極和漏極，分別設置在第一N型導電層和所述第二N型導電層上，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上；

其中，在所述基板上的像素電極位于在所述基板上的所述柵極絕緣層上。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制作形成薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管和所述基板上制作形成第一鈍化層；

在所述第一鈍化層中制作形成將所述薄膜晶體管的漏極暴露的過孔；

在所述基板上的第一鈍化層上制作形成具有多個第一通孔的像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極接觸；

在所述第一鈍化層和所述像素電極上制作形成第二鈍化層，所述第二鈍化層填充所述第一通孔；

在所述像素電極上的第二鈍化層上制作形成具有多個第二通孔的公共電極，所述第一通孔和所述第二通孔交錯設置；

將所述薄膜晶體管之上的第二鈍化層和由所述第二通孔暴露出的第二鈍化層刻蝕去除。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上制作形成薄膜晶體管的方法包括：

在所述基板上制作形成柵極；

在所述基板和所述柵極上制作形成所述柵極絕緣層；其中，在所述基板上的第一鈍化層位于在所述基板上的柵極絕緣層上；

在所述柵極上的柵極絕緣層上制作形成有源層；

在所述有源層上制作形成彼此間隔的第一N型導電層和第二N型導電層；

在所述第一N型導電層和所述第二N型導電層上分別制作形成源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上。

9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制作形成薄膜晶體管；

在所述基板上制作形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極接觸；

在所述薄膜晶體管和所述像素電極上制作形成鈍化層；

在所述像素電極上的鈍化層上制作形成具有多個通孔的公共電極；

將所述薄膜晶體管之上的鈍化層的部分和由所述第二通孔暴露出的鈍化層的部分刻蝕去除。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上制作形成薄膜晶體管的方法包括：

在所述基板上制作形成柵極；

在所述基板和所述柵極上制作形成所述柵極絕緣層；其中，在所述基板上的像素電極位于在所述基板上的柵極絕緣層上；

在所述柵極上的柵極絕緣層上制作形成有源層；

在所述有源層上制作形成彼此間隔的第一N型導電層和第二N型導電層；

在所述第一N型導電層和所述第二N型導電層上分別制作形成源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述有源層接觸，并且所述源極和所述漏極分別延伸至所述柵極絕緣層上。