[發明專利]鈀/鎂-二氧化鈦氣致調光薄膜及其制備

有效

• 申請號: 201710225732.4
• 申請日: 2017-04-07
• 公開（公告）號: CN107190238B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 陳娟;劉越;彭立明;韓靖宇;鄧南香;丁文江
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/18;C03C17/36
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜，其特征在于，包括依次設置在襯底上的鎂-二氧化鈦復合薄膜層和鈀催化層；

所述鎂-二氧化鈦復合薄膜層中，鎂和二氧化鈦的質量百分含量分別為：57～90％、10～43％；

所述鎂-二氧化鈦復合薄膜層的厚度為30～100nm；所述鈀催化層的厚度為3～10nm；

所述鎂-二氧化鈦復合薄膜層采用直流磁控濺射法在襯底上生長得到，所述直流磁控濺射法中采用的二氧化鈦靶材的制備為：用純度為99.99％的二氧化鈦粉制成二氧化鈦靶材，并附加銅背板；所述純度采用質量分數表示；所述直流磁控濺射法中采用的鎂、二氧化鈦靶兩種靶材共沉積。

2.根據權利要求1所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜，其特征在于，所述襯底包括石英玻璃、光導纖維、導電玻璃、有機玻璃中的至少一種。

3.一種根據權利要求1所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜的制備方法，其特征在于，包括采用直流磁控濺射法在襯底上生長鎂-二氧化鈦復合薄膜層，然后在鎂-二氧化鈦復合薄膜層上采用射頻磁控濺射法制備鈀催化層的步驟。

4.根據權利要求3所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法具體包括以下步驟：

A1、用配制的清洗液浸泡襯底，然后用去離子水沖洗襯底；

A2、將清洗好的襯底放入磁控濺射反應室，開啟抽真空系統進行抽真空，直至背景真空度為3×10^-6Torr；

A3、加熱襯底，使襯底溫度為20～25℃，通入工作氣體，并維持5×10^-3Torr的壓強，待氣壓穩定后，開啟鎂和二氧化鈦靶的電源，先預濺射清洗靶材，再開始沉積鎂-二氧化鈦薄膜層；

A4、沉積完畢后，關閉鎂和二氧化鈦靶的電源，在真空度維持在5×10^-3Torr時，開啟鈀靶的電源，先預濺射清洗靶材，再開始沉積鈀催化層；

A5、沉積完畢后，關閉鈀靶的電源，繼續用工作氣體吹洗樣品，然后停止通入工作氣體，取出樣品。

5.根據權利要求4所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A3中，所述沉積鎂-二氧化鈦薄膜層時，鎂、二氧化鈦靶的濺射功率分別為40～200W、300-400W，兩種靶材共沉積，濺射時間為50～200s。

6.權利要求4所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A4中，所述沉積鈀催化層時，鈀靶的濺射功率為150～200W，濺射時間為5～20s。

7.根據權利要求4所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A1中，所述的清洗液為濃硫酸和雙氧水的混合溶液；所述的工作氣體為氬氣。

8.根據權利要求4所述的鈀/鎂-二氧化鈦的氣致調光薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A3和A4中,所述的預濺射時應關閉靶材前面的擋板，沉積時打開擋板。