[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710224324.7 | 申請日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108695325B | 公開(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡綜穎;何建廷;魏銘德;馮立偉;王嫈喬 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/108 | 分類號(hào): | H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 埋入式字線 方向延伸 主動(dòng)區(qū) 基底 位線接觸 插塞 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件 方向平行 平行 四邊 跨設(shè) | ||
1.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于包含:
基底,包含第一主動(dòng)區(qū),其中該第一主動(dòng)區(qū)沿著一第一方向延伸;
二埋入式字線,設(shè)置于該基底中且跨設(shè)該第一主動(dòng)區(qū),其中該二埋入式字線沿著一第二方向延伸;
位線接觸插塞,設(shè)置于該基底上且重疊該二埋入式字線之間的該第一主動(dòng)區(qū),其中一第一邊、一第二邊、一第三邊以及一第四邊圍繞成該位線接觸插塞,且該第一邊平行該第三邊而沿著一第三方向延伸,該第二邊平行該第四邊而沿著一第四方向延伸,其中該第一方向平行該第三方向且該第二方向平行該第四方向,該第一邊及該第三邊不重疊該第一主動(dòng)區(qū),因而該位線接觸插塞包含一主體部分重疊該第一主動(dòng)區(qū)以及二副翼部分不重疊該第一主動(dòng)區(qū)。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該基底包含二主動(dòng)區(qū)位于該第一主動(dòng)區(qū)兩側(cè)且該二主動(dòng)區(qū)平行該第一主動(dòng)區(qū)。
3.依據(jù)權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第一邊位于該第一主動(dòng)區(qū)以及其中一該二主動(dòng)區(qū)之間,且該第三邊位于該第一主動(dòng)區(qū)以及另一該二主動(dòng)區(qū)之間。
4.依據(jù)權(quán)利要求3所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第一邊位于該第一主動(dòng)區(qū)以及其中一該二主動(dòng)區(qū)之間的中線,且第三邊位于該第一主動(dòng)區(qū)以及另一該二主動(dòng)區(qū)之間的中線。
5.依據(jù)權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第一主動(dòng)區(qū)以及該二主動(dòng)區(qū)以一絕緣結(jié)構(gòu)隔絕。
6.依據(jù)權(quán)利要求5所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第一邊與該第三邊直接位于該絕緣結(jié)構(gòu)上。
7.依據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該位線接觸插塞重疊該二埋入式字線之間的全部的該第一主動(dòng)區(qū)。
8.依據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第二邊直接位于其中一該二埋入式字線上,且該第四邊直接位于另一該二埋入式字線上。
9.依據(jù)權(quán)利要求8所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第二邊直接位于其中一該二埋入式字線的中線上,且該第四邊直接位于另一該二埋入式字線的中線上。
10.依據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第一方向與該第二方向之間的夾角為70°~75°。
11.依據(jù)權(quán)利要求10所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第一方向與該第二方向之間的夾角為71.2°。
12.依據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于還包含:
位線柵極包含該位線接觸插塞,其中該位線柵極設(shè)置于該基底上且沿著一第五方向延伸。
13.依據(jù)權(quán)利要求12所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該第二方向垂直該第五方向。
14.依據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于還包含:
存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸插塞,緊鄰該位線接觸插塞設(shè)置。
15.依據(jù)權(quán)利要求14所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器元件,其特征在于,該位線接觸插塞的一深度為350納米~450納米,而該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸插塞的一深度為250納米~350納米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





