[發(fā)明專利]用以在集成電路中集成熱過孔結(jié)構(gòu)的技術(shù)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710223449.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107403022B | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杰佛瑞·P·卡比諾;理查·S·格拉夫;撒帝·曼杜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/392 | 分類號(hào): | G06F30/392;H01L27/02;G06F115/06;G06F119/08 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 英屬開曼群*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用以 集成電路 集成 結(jié)構(gòu) 技術(shù) | ||
本發(fā)明涉及用以在集成電路中集成熱過孔結(jié)構(gòu)的技術(shù),其中一種集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)包括在集成電路(IC)設(shè)計(jì)的襯底的第一表面上設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)單元。在該第一表面上定位至少兩個(gè)空置區(qū)域,該空置區(qū)域不包括標(biāo)準(zhǔn)單元。確定可設(shè)置于該至少兩個(gè)空置區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)微填充過孔的高寬比。在該至少兩個(gè)空置區(qū)域中設(shè)置該一個(gè)或多個(gè)微填充過孔。最后,自與該第一表面相對(duì)的該集成電路的第二表面設(shè)置一個(gè)或多個(gè)部分熱過孔,以將該一個(gè)或多個(gè)部分熱過孔與該一個(gè)或多個(gè)微填充過孔熱耦接,從而創(chuàng)建自該第一表面至該第二表面的熱路徑。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明通常涉及集成電路,尤其涉及用以在集成電路中集成熱過孔(thermalvia)結(jié)構(gòu)的技術(shù)。
背景技術(shù)
集成電路(integrated circuit;IC)的主動(dòng)部分中的開關(guān)晶體管產(chǎn)生大量的熱。部分所產(chǎn)生的熱被傳遞至該IC的襯底,與該IC的該主動(dòng)部分類似,該IC的該襯底變熱。可使用熱過孔(例如硅通孔(through silicon via;TSV))以較快的速率將來自IC的主動(dòng)部分的熱通過該IC的襯底傳遞至散熱片。不過,熱TSV可能占據(jù)IC的主動(dòng)側(cè)上的較大量的表面面積,因而從實(shí)體區(qū)域(real estate)利用角度來看可能不是特別有效。有效實(shí)體區(qū)域利用的缺乏主要?dú)w因于TSV的高寬比(寬度比高度)要求。
發(fā)明內(nèi)容
本文揭示用以在集成電路中集成熱過孔結(jié)構(gòu)的技術(shù)。可將該技術(shù)作為一種方法實(shí)施于數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的集成電路中,且/或作為包含于電腦可讀儲(chǔ)存裝置中的電腦程序產(chǎn)品。該電腦程序產(chǎn)品可包括電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(electronic design automation;EDA)工具和/或一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)文件(例如EDA文件)。
一種集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)包括在集成電路(IC)設(shè)計(jì)的襯底的第一表面上設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)單元。在該第一表面上定位至少兩個(gè)空置區(qū)域,該空置區(qū)域不包括標(biāo)準(zhǔn)單元。確定可設(shè)置于該至少兩個(gè)空置區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)微填充過孔的高寬比。在該至少兩個(gè)空置區(qū)域中設(shè)置該一個(gè)或多個(gè)微填充過孔。最后,自與該第一表面相對(duì)的該集成電路的第二表面設(shè)置一個(gè)或多個(gè)部分熱過孔,以將該一個(gè)或多個(gè)部分熱過孔與該一個(gè)或多個(gè)微填充過孔熱耦接,從而創(chuàng)建自該第一表面至該第二表面的熱路徑。
上面的發(fā)明內(nèi)容包含細(xì)節(jié)的簡(jiǎn)化、概括及省略且并不意圖作為所請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明主題的全面說明,而是意圖提供與其相關(guān)聯(lián)的一些功能的簡(jiǎn)要概述。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在檢查下面的附圖及詳細(xì)書面說明以后將了解所請(qǐng)求保護(hù)的發(fā)明主題的其它系統(tǒng)、方法、功能、特征及優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的上述以及額外目的、特征及優(yōu)點(diǎn)將在下面的詳細(xì)書面說明中變得更加清楚。
附圖說明
結(jié)合附圖閱讀有關(guān)示例實(shí)施例的說明,附圖中:
圖1顯示示例數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)環(huán)境的相關(guān)部分,其實(shí)施包括熱過孔結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)集成電路(IC)且/或執(zhí)行電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具,依據(jù)本發(fā)明配置該EDA工具以在IC設(shè)計(jì)中包含一個(gè)或多個(gè)熱過孔結(jié)構(gòu);
圖2至7顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的IC的襯底的相關(guān)剖面部分,以說明在該IC中的熱過孔結(jié)構(gòu)的創(chuàng)建;
圖8顯示依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的該IC的額外部分的襯底的相關(guān)剖面部分,以說明在該IC中的熱過孔結(jié)構(gòu)的創(chuàng)建;以及
圖9顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示例制程的流程圖,該制程可通過電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具實(shí)施,以在IC設(shè)計(jì)中創(chuàng)建熱過孔結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
示例實(shí)施例揭示用以在集成電路(IC)中集成熱過孔結(jié)構(gòu)的技術(shù)。可將該技術(shù)作為一種方法實(shí)施于數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的集成電路中且/或作為包含于電腦可讀儲(chǔ)存裝置中的電腦程序產(chǎn)品。該電腦程序產(chǎn)品可包括電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具和/或一個(gè)或多個(gè)設(shè)計(jì)文件(例如EDA文件)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于格羅方德半導(dǎo)體公司,未經(jīng)格羅方德半導(dǎo)體公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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