[發明專利]用以在集成電路中集成熱過孔結構的技術

有效

• 申請號: 201710223449.8
• 申請日: 2017-04-07
• 公開（公告）號: CN107403022B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 杰佛瑞·P·卡比諾;理查·S·格拉夫;撒帝·曼杜
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;H01L27/02;G06F115/06;G06F119/08
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種集成電路設計的方法，包括：

通過數據處理系統在集成電路設計的襯底的第一表面上設置標準單元；

通過該數據處理系統在該第一表面上定位至少兩個空置區域，該空置區域不包括該標準單元；

通過該數據處理系統確定可設置于該至少兩個空置區域中的一個或多個微填充過孔的高寬比,其中，該微填充過孔是指自該集成電路的前側形成的過孔；

通過該數據處理系統在該至少兩個空置區域中設置該一個或多個微填充過孔；以及

通過該數據處理系統自與該第一表面相對的該集成電路的第二表面設置一個或多個部分熱過孔，以將該一個或多個部分熱過孔與該一個或多個微填充過孔熱耦接，從而創建自該第一表面至該第二表面的熱路徑,其中，該部分熱過孔是指自該集成電路的背側形成的熱過孔。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：

將散熱片與該第二表面附近的該一個或多個部分熱過孔接觸耦接。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該微填充過孔包括鎢。

4.如權利要求3所述的方法，其中，在該襯底上沉積氮化鈦層，以為該鎢提供晶種層。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該部分熱過孔包括銅。

6.如權利要求5所述的方法，其中，在該襯底上沉積氮化鈦層，以提供阻擋層，從而防止該銅擴散進入該襯底中并且也充當晶種層。

7.如權利要求1所述的方法，其中，該部分熱過孔包括鎢。

8.如權利要求7所述的方法，其中，在該襯底上沉積氮化鈦層，以為該鎢提供晶種層。

9.如權利要求1所述的方法，其中，該襯底為硅襯底。

10.一種集成電路，包括：

襯底；

主動裝置，形成于該襯底的前側中，其中，該襯底的第一及第二區域不包括任意該主動裝置并具有不同的各自區域；

一個或多個第一微填充過孔，形成于該第一區域中；

一個或多個第二微填充過孔，形成于該第二區域中，其中，該一個或多個第一微填充過孔與該一個或多個第二微填充過孔相比具有不同的高寬比；以及

部分熱過孔，形成于該襯底的背側，其中，該部分熱過孔與該第一及第二微填充過孔耦接，以在該襯底的該前及背側之間提供熱路徑。

11.如權利要求10所述的集成電路，還包括：

散熱片，與該部分熱過孔接觸。

12.如權利要求10所述的集成電路，其中，該第一及第二微填充過孔包括鎢。

13.如權利要求12所述的集成電路，其中，在該襯底上沉積氮化鈦層，以為該鎢提供晶種層。

14.如權利要求10所述的集成電路，其中，該部分熱過孔包括銅。

15.如權利要求14所述的集成電路，其中，在該襯底上沉積氮化鈦層，以提供阻擋層，從而防止該銅擴散進入該襯底中并且也充當晶種層。

16.如權利要求10所述的集成電路，其中，該部分熱過孔包括鎢。

17.如權利要求16所述的集成電路，其中，在該襯底上沉積氮化鈦層，以為該鎢提供晶種層。

18.如權利要求10所述的集成電路，其中，該襯底為硅襯底。