[發(fā)明專利]硬掩模用組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710220902.X
• 申請日: 2017-04-06
• 公開（公告）號: CN107340687B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔漢永;梁敦植;金相泰;成始震
• 申請（專利權(quán)）人: 東友精細(xì)化工有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;鐘海勝

本發(fā)明涉及硬掩模用組合物，更詳細(xì)而言，所述硬掩模用組合物通過包含分子內(nèi)含有兩個以上叔醇基的化合物和溶劑，能夠形成耐熱性優(yōu)異的下層膜(硬掩模)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硬掩模用組合物。

背景技術(shù)

微電子學(xué)產(chǎn)業(yè)和微觀結(jié)構(gòu)物(例如，微機(jī)械、磁阻(magnetoresist)磁頭等)等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中，持續(xù)要求減小結(jié)構(gòu)形狀的大小。此外，微電子學(xué)產(chǎn)業(yè)中，存在如下要求：減小微電子設(shè)備的大小，對指定的芯片大小提供更多的電路。

為了減小形狀大小，有效的光刻技術(shù)是必不可少的。

就典型的光刻工序而言，首先，在下層材料上涂布抗蝕劑后，進(jìn)行射線曝光，形成抗蝕劑層。接著，將抗蝕劑層用顯影液進(jìn)行顯影而形成圖案化的抗蝕劑層，對存在于圖案化的抗蝕劑層的開口部內(nèi)的物質(zhì)進(jìn)行蝕刻，將圖案轉(zhuǎn)印至下層材料。轉(zhuǎn)印結(jié)束后，伴隨如下過程：使感光性抗蝕劑以圖案方式暴露，形成圖案化的抗蝕劑層。接著，通過使暴露的抗蝕劑層與任意物質(zhì)(典型地為水性堿顯影液)接觸，從而使圖像顯影。接著，通過對存在于圖案化的抗蝕劑層的開口部內(nèi)的物質(zhì)進(jìn)行蝕刻，使圖案轉(zhuǎn)印至下層材料。轉(zhuǎn)印結(jié)束后，去除殘留的抗蝕劑層。

為了使抗蝕劑層與下層材料之間的反射性最小化，上述光刻工序的大部分工序中使用抗反射涂層(anti-refractive coating；ARC)來增加分辨率。但是，在圖案化后，將抗反射涂層蝕刻的工序中，抗蝕劑層也被大量消耗，有可能在后續(xù)蝕刻步驟中需要追加圖案化。

換言之，在一部分光刻圖像化工序的情況下，所使用的抗蝕劑有時對于蝕刻步驟不具有足以使預(yù)定的圖案有效地轉(zhuǎn)印至下層材料的程度的充分的耐受性。因此，對于需要極薄地使用抗蝕劑物質(zhì)的超薄膜抗蝕劑層的情況，對于想要蝕刻處理的基板厚的情況，對于要求蝕刻深度深的情況或者對于預(yù)定的下層材料中需要使用特定的蝕刻劑(etchant)的情況等中，使用了抗蝕劑下層膜。

抗蝕劑下層膜在抗蝕劑層與可從圖案化的抗蝕劑通過轉(zhuǎn)印而圖案化的下層材料之間發(fā)揮中間層的作用，該抗蝕劑下層膜需要耐受從圖案化的抗蝕劑層接受圖案、使圖案轉(zhuǎn)印至下層材料時所需的蝕刻工序。

為了形成這樣的下層膜，嘗試了很多材料，但仍持續(xù)要求對下層膜組合物的改進(jìn)。

以往，用于形成下層膜的材料難以涂布于基板，因此利用例如化學(xué)或物理蒸鍍、特殊溶劑或高溫?zé)桑鼈兇嬖诨ㄙM(fèi)很大的問題。由此，近年來，進(jìn)行著關(guān)于無需實(shí)施高溫?zé)傻目衫眯D(zhuǎn)涂布方法來涂布的下層膜組合物的研究。

此外，進(jìn)行著關(guān)于下述下層膜組合物的研究：在能夠?qū)⑿纬捎谏喜康目刮g劑層作為掩模而容易被選擇性地蝕刻的同時，特別是在下層為金屬層的情況下，對于將下層膜作為掩模而使下層圖案化時所需的蝕刻工序具有耐受性。

韓國公開專利第10-2010-0082844號公開了關(guān)于抗蝕劑下層膜形成組合物的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

韓國公開專利第10-2010-0082844號

發(fā)明內(nèi)容

所要解決的課題

本發(fā)明的目的在于，提供能夠形成耐熱性優(yōu)異的抗蝕劑下層膜(硬掩模)的硬掩模用組合物。

解決課題的方法

1.一種硬掩模組合物，其包含分子內(nèi)含有兩個以上叔醇基的化合物和溶劑。

2.如上述1所述的硬掩模組合物，上述化合物為選自下述化學(xué)式1～化學(xué)式3所表示的化合物組成的組中的至少一種：

[化學(xué)式1]

(式中，n為1～10，