[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201710217527.3
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號: CN107045239A
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 王文堅;洪俊;張昌俊;鄭亮亮
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/136;H01L27/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

多條柵線、多條數據線、及由所述柵線和所述數據線交叉定義的多個像素單元，所述多個像素單元呈陣列排布；

一行所述像素單元包括多個像素單元組，每個所述像素單元組包括相鄰列的兩個像素單元，所述相鄰列的兩個像素單元共同連接一條數據線，所述像素單元組中的兩個像素單元的薄膜晶體管為不同類型的晶體管。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元組中的兩個像素單元的薄膜晶體管中，一個為N型晶體管，另一個為P型晶體管。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述N型晶體管包括：依次層疊設置的柵極、柵極絕緣層、第一有源層、源漏極以及絕緣層；所述P型晶體管包括：依次層疊設置的柵極、柵極絕緣層、第二有源層、源漏極以及絕緣層。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述N型晶體管包括：依次層疊設置的源漏極、第一有源層、柵極絕緣層、柵極以及絕緣層；所述P型晶體管包括：依次層疊設置的源漏極、第二有源層、柵極絕緣層、柵極以及絕緣層。

5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述N型晶體管包括：依次層疊設置的第一有源層、柵極絕緣層、柵極、源漏極絕緣層、源漏極以及絕緣層；所述P型晶體管包括：依次層疊設置的第二有源層、柵極絕緣層、柵極、源漏極絕緣層、源漏極以及絕緣層。

6.根據權利要求3-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層包括N型摻雜非晶硅層和N型重摻雜非晶硅層；所述第二有源層包括P型摻雜非晶硅層和P型重摻雜非晶硅層。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在基板上形成柵線、數據線、有源層及源漏極，從而形成多個第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述有源層包括第一有源層和第二有源層，所述第一有源層為第一薄膜晶體管的有源層，第二有源層為第二薄膜晶體管的有源層；

所述柵線和所述數據線交叉定義出多個像素單元，所述多個像素單元呈陣列排布，每個所述像素單元包括一個薄膜晶體管，一行像素單元包括多個像素單元組，每個所述像素單元組包括相鄰列的兩個像素單元，所述相鄰列的兩個像素單元共同連接一條數據線；

所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管為像素單元組中的相鄰列的兩個像素單元對應的兩個薄膜晶體管，且所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管為不同類型的晶體管。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成柵線、數據線、有源層及源漏極，包括：

在所述基板上形成柵極層圖案，所述柵極層圖案包括多條柵線和多個柵極；

在所述柵極層圖案上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上分別形成第一有源層和第二有源層；

在所述第一有源層和所述第二有源層上形成源漏極層圖案，所述源漏極層圖案包括多條數據線和多個源漏極。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成柵線、數據線、有源層及源漏極，包括：

在所述基板上形成源漏極層圖案，所述源漏極層圖案包括多條數據線和多個源漏極；

在所述源漏金屬圖案上分別形成第一有源層和第二有源層；

在所述第一有源層和所述第二有源層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極層圖案，所述柵極層圖案包括多條柵線和多個柵極。

10.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成柵線、數據線、有源層及源漏極，包括：

在所述基板上分別形成第一有源層和第二有源層；

在所述第一有源層和第二有源層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極層圖案，所述柵極層圖案包括多條柵線和多個柵極；

在所述柵極層圖案上形成源漏極絕緣層；

在所述源漏極絕緣層上形成源漏極層圖案，所述源漏極層圖案包括多條數據線和多個源漏極。