[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710217035.4
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號: CN108695324B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王嫈喬;童宇誠;馮立偉
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，包含：

基底，定義有一存儲區(qū)以及一周邊區(qū)；

柵極堆疊結(jié)構(gòu)，位于該周邊區(qū)內(nèi)，其中該柵極堆疊結(jié)構(gòu)至少包含有第一柵極層，以及第二柵極層位于該第一柵極層上；

位線堆疊結(jié)構(gòu)，位于該存儲區(qū)內(nèi)，該位線堆疊結(jié)構(gòu)至少包含有第一絕緣層，位于部分該基底中，該第一絕緣層的一頂面高于該基底的一頂面，且該第一絕緣層的該頂面與該柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的第一柵極層的一頂面齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該位線堆疊結(jié)構(gòu)中的該第一絕緣層上，還包含有第三柵極層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第三柵極層的材料與該第二柵極層的材料相同。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第三柵極層的一頂面與該第二柵極層的一頂面齊平。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包含有第二絕緣層，位于該基底上，且位于該第一絕緣層與該第三柵極層之間。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一絕緣層的該頂面與該第二絕緣層的一頂面齊平。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一絕緣層以及該第二絕緣層中包含有凹槽，且部分該第三柵極層填入該凹槽內(nèi)并與該基底接觸。

8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包含有至少兩掩模層，分別位于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的該第二柵極層上，以及位于該位線堆疊結(jié)構(gòu)的該第三柵極層上。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，還包含多條埋入式字符線位于該存儲區(qū)內(nèi)。

10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，還包含氧化介電層，位于該第二絕緣層以及該基底之間，以及位于該第一柵極層與該基底之間。

11.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包含：

提供一基底，定義有存儲區(qū)以及周邊區(qū)；

形成一氧化介電層于該存儲區(qū)以及該周邊區(qū)內(nèi)的該基底上；

在該氧化介電層形成之后，形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)于該周邊區(qū)內(nèi)，其中該柵極堆疊結(jié)構(gòu)至少包含有一第一柵極層，以及一第二柵極層位于該第一柵極層上；以及

在該氧化介電層形成之后，形成一位線堆疊結(jié)構(gòu)于該存儲區(qū)內(nèi)，該位線堆疊結(jié)構(gòu)至少包含有第一絕緣層，位于部分該基底中，該第一絕緣層的一頂面高于該基底的一頂面，其中該第一絕緣層的該頂面與該柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的第一柵極層的一頂面齊平。

12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，還包含形成有第三柵極層于該位線堆疊結(jié)構(gòu)中的該第一絕緣層上。

13.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中該第三柵極層的材料與該第二柵極層的材料相同。

14.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中該第三柵極層的一頂面與該第二柵極層的一頂面齊平。

15.如權(quán)利要求12所述的制作方法，還包含形成有至少兩掩模層，分別位于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的該第二柵極層上，以及位于該位線堆疊結(jié)構(gòu)的該第三柵極層上。

16.如權(quán)利要求12所述的制作方法，還包含形成有第二絕緣層于該氧化介電層上，位于該第一絕緣層與該第三柵極層之間。

17.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其中該第一絕緣層以及該第二絕緣層中包含有凹槽，且部分該第三柵極層填入該凹槽內(nèi)并與該基底接觸。

18.如權(quán)利要求11所述的制作方法，還包含形成多條埋入式字符線位于該存儲區(qū)內(nèi)。