[發明專利]改善鎢金屬層蝕刻微負載的方法

有效

• 申請號: 201710216987.4
• 申請日: 2017-04-05
• 公開（公告）號: CN108695235B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 陳立強;李甫哲;郭明峰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3213
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種改善鎢金屬層蝕刻微負載的方法，包含有：

提供一半導體基底，具有一主表面，其中該半導體基底上具有多個溝槽；

在該半導體基底上全面沉積一鎢金屬層，并使該鎢金屬層填滿該多個溝槽；

對該鎢金屬層進行一平坦化制作工藝，以于該鎢金屬層上形成一平坦化層；

進行一第一蝕刻步驟，完全蝕除該平坦化層及部分該鎢金屬層，其中該平坦化層及該鎢金屬層于該第一蝕刻步驟的蝕刻選擇比為1：1；以及

進行一第二蝕刻步驟，繼續蝕刻該鎢金屬層，直到該鎢金屬層的上表面低于該半導體基底的該主表面。

2.如權利要求1所述的方法，其中該平坦化制作工藝包括：

在提供一脈沖偏壓條件下，以選自以下氣體：C₄F₆、C₄F₈或SiCl₄/CF₄所形成的等離子體蝕刻該鎢金屬層，同時于該鎢金屬層上形成該平坦化層。

3.如權利要求2所述的方法，其中該脈沖偏壓條件包括以下參數：脈沖頻率13.56MHz，偏壓功率bias＝100W，占空比DC＝20％。

4.如權利要求1所述的方法，其中該平坦化層為一高分子聚合物層。

5.如權利要求1所述的方法，其中在完成該第二蝕刻步驟后，該鎢金屬層的上表面于該多個溝槽中位于同一水平面。

6.如權利要求1所述的方法，其中該第一蝕刻步驟不提供脈沖偏壓下，以SF₆及Ar所形成的等離子體蝕刻該平坦化層及該鎢金屬層。

7.如權利要求1所述的方法，其中該第二蝕刻步驟在提供脈沖偏壓下，以SF₆及Ar所形成的等離子體蝕刻該鎢金屬層。